半导体反应器及半导体反应器用金属母材的涂层形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810018154.1

申请日：

2018-01-09

公开(公告)号：

CN108385148B

公开(公告)日：

2018-08-10

发明(设计)人：

都正万崔荣峻尹珍国韩承熙庾炳容

申请人：

申请人地址：

韩国首尔

IPC主分类号：

C25D1106

IPC分类号：

C22C2108 H01J3732 H01L2167

代理机构：

北京鸿元知识产权代理有限公司 11327

代理人：

姜虎;陈英俊

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-08-10	公开	公开
2020-08-21	授权	授权
2018-09-04	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C25D 11/06 申请日:20180109

共 50 条

[1]

半导体沉积反应器歧管 [P].

D·南德瓦纳 ;

E·J·希罗 ;

C·L·怀特 ;

T·R·杜纳 ;

W·G·皮特罗 ;

J·L·温科 ;

A·奇塔莱 .

中国专利 :CN112695294A ,2021-04-23

[2]

半导体沉积反应器歧管 [P].

D·南德瓦纳 ;

E·J·希罗 ;

C·L·怀特 ;

T·R·杜纳 ;

W·G·皮特罗 ;

J·L·温科 ;

A·奇塔莱 .

:CN112695294B ,2025-02-18

[3]

半导体制作反应器 [P].

S·迪巴尔司 ;

中村修二 ;

麦克康特 ;

M·巴特雷斯 .

中国专利 :CN100471992C ,2005-03-16

[4]

半导体处理反应器及其部件 [P].

E·谢罗 ;

M·维戈瑟 ;

C·怀特 ;

H·特霍斯特 ;

D·莫里斯 .

中国专利 :CN102365389A ,2012-02-29

[5]

半导体沉积反应器环的主体 [P].

R·奈克 ;

苏俊威 ;

王文涛 ;

C·Q·周 ;

林兴 .

:CN308691120S ,2024-06-18

[6]

半导体沉积反应器的支架主体 [P].

R·奈克 ;

苏俊威 ;

王文涛 ;

C·Q·周 ;

林兴 .

:CN308691121S ,2024-06-18

[7]

半导体沉积反应器的支架主体 [P].

R·奈克 ;

苏俊威 ;

王文涛 ;

C·Q·周 ;

林兴 .

:CN308691119S ,2024-06-18

[8]

用于半导体制造的反应器及半导体制造装置 [P].

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN221254777U ,2024-07-02

[9]

反应器及半导体废气处理系统 [P].

乔伟超 ;

席涛涛 ;

张昱翀 ;

宁腾飞 .

中国专利 :CN120789881A ,2025-10-17

[10]

用于半导体反应器的排气调节系统 [P].

约翰·C·舒马赫 .

中国专利 :CN1898411A ,2007-01-17

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