半导体沉积反应器歧管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011124004.2

申请日：

2020-10-20

公开(公告)号：

CN112695294A

公开(公告)日：

2021-04-23

发明(设计)人：

D·南德瓦纳 E·J·希罗 C·L·怀特 T·R·杜纳 W·G·皮特罗 J·L·温科 A·奇塔莱

申请人：

申请人地址：

荷兰，阿尔梅勒

IPC主分类号：

C23C16455

IPC分类号：

代理机构：

北京纪凯知识产权代理有限公司 11245

代理人：

张全信

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-04-23	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体沉积反应器歧管 [P].

D·南德瓦纳 ;

E·J·希罗 ;

C·L·怀特 ;

T·R·杜纳 ;

W·G·皮特罗 ;

J·L·温科 ;

A·奇塔莱 .

:CN112695294B ,2025-02-18

[2]

半导体沉积反应器环的主体 [P].

R·奈克 ;

苏俊威 ;

王文涛 ;

C·Q·周 ;

林兴 .

:CN308691120S ,2024-06-18

[3]

半导体沉积反应器的支架主体 [P].

R·奈克 ;

苏俊威 ;

王文涛 ;

C·Q·周 ;

林兴 .

:CN308691119S ,2024-06-18

[4]

半导体沉积反应器的支架主体 [P].

R·奈克 ;

苏俊威 ;

王文涛 ;

C·Q·周 ;

林兴 .

:CN308691121S ,2024-06-18

[5]

反应器歧管 [P].

D·南德瓦纳 ;

J·L·温科 ;

E·J·希罗 ;

T·R·杜纳 ;

C·L·怀特 .

中国专利 :CN111719138A ,2020-09-29

[6]

半导体制作反应器 [P].

S·迪巴尔司 ;

中村修二 ;

麦克康特 ;

M·巴特雷斯 .

中国专利 :CN100471992C ,2005-03-16

[7]

用于在衬底上外延沉积半导体材料的反应器 [P].

M·G·梅斯奇亚 ;

D·克里帕 ;

S·R·M·普雷蒂 ;

F·科里亚 ;

S·波利 .

:CN119615357A ,2025-03-14

[8]

用于半导体膜的外延沉积的快速冷却反应器 [P].

M·G·梅斯奇亚 ;

A·比博洛蒂 .

:CN119956480A ,2025-05-09

[9]

半导体处理反应器及其部件 [P].

E·谢罗 ;

M·维戈瑟 ;

C·怀特 ;

H·特霍斯特 ;

D·莫里斯 .

中国专利 :CN102365389A ,2012-02-29

[10]

用于原子层沉积和化学气相沉积反应器的使用点阀歧管 [P].

拉梅什·钱德拉塞卡拉 ;

夏春光 ;

卡尔·F·利泽 ;

达明·斯莱文 ;

托马斯·G·朱厄尔 .

中国专利 :CN103510070A ,2014-01-15

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