半导体沉积反应器的支架主体

被引：0

专利类型：

外观设计

申请号：

CN202330459106.8

申请日：

2021-12-27

公开(公告)号：

CN308691119S

公开(公告)日：

2024-06-18

发明(设计)人：

R·奈克苏俊威王文涛 C·Q·周林兴

申请人：

ASMIP私人控股有限公司

申请人地址：

荷兰阿尔梅勒

IPC主分类号：

15-99

IPC分类号：

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

马涛;冯晓燕

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-06-18	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体沉积反应器的支架主体 [P].

R·奈克 ;

苏俊威 ;

王文涛 ;

C·Q·周 ;

林兴 .

:CN308691121S ,2024-06-18

[2]

半导体沉积反应器环的主体 [P].

R·奈克 ;

苏俊威 ;

王文涛 ;

C·Q·周 ;

林兴 .

:CN308691120S ,2024-06-18

[3]

半导体沉积反应器歧管 [P].

D·南德瓦纳 ;

E·J·希罗 ;

C·L·怀特 ;

T·R·杜纳 ;

W·G·皮特罗 ;

J·L·温科 ;

A·奇塔莱 .

中国专利 :CN112695294A ,2021-04-23

[4]

半导体沉积反应器歧管 [P].

D·南德瓦纳 ;

E·J·希罗 ;

C·L·怀特 ;

T·R·杜纳 ;

W·G·皮特罗 ;

J·L·温科 ;

A·奇塔莱 .

:CN112695294B ,2025-02-18

[5]

半导体处理反应器的有织纹的陶瓷沉积环 [P].

艾伦·波皮奥科斯基 ;

香农·哈特 ;

刘亚杰 .

中国专利 :CN302441377S ,2013-05-22

[6]

用于半导体膜的外延沉积的快速冷却反应器 [P].

M·G·梅斯奇亚 ;

A·比博洛蒂 .

:CN119956480A ,2025-05-09

[7]

用于在衬底上外延沉积半导体材料的反应器 [P].

M·G·梅斯奇亚 ;

D·克里帕 ;

S·R·M·普雷蒂 ;

F·科里亚 ;

S·波利 .

:CN119615357A ,2025-03-14

[8]

半导体制作反应器 [P].

S·迪巴尔司 ;

中村修二 ;

麦克康特 ;

M·巴特雷斯 .

中国专利 :CN100471992C ,2005-03-16

[9]

用于减少石英失透的半导体沉积反应器和部件 [P].

R.奈克 ;

苏俊威 ;

王文涛 ;

C.周 ;

林兴 .

中国专利 :CN115537775A ,2022-12-30

[10]

用于半导体化学气相沉积反应器的平铺式喷头 [P].

雷格·东克 ;

亚历山大·勒纳 ;

凯思德·索拉布吉 ;

L·D·华盛顿 ;

安德瑞斯·海吉杜斯 .

中国专利 :CN106609362A ,2017-05-03

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