半导体处理反应器的有织纹的陶瓷沉积环

被引：0

专利类型：

外观设计

申请号：

CN201230305686.7

申请日：

2012-06-29

公开(公告)号：

CN302441377S

公开(公告)日：

2013-05-22

发明(设计)人：

艾伦·波皮奥科斯基香农·哈特刘亚杰

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

1599

IPC分类号：

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287

代理人：

沈锦华

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-07-15	专利权的终止	专利权有效期届满主分类号:15-99 申请日:20120629 授权公告日:20130522
2013-05-22	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体沉积反应器环的主体 [P].

R·奈克 ;

苏俊威 ;

王文涛 ;

C·Q·周 ;

林兴 .

:CN308691120S ,2024-06-18

[2]

半导体沉积反应器的支架主体 [P].

R·奈克 ;

苏俊威 ;

王文涛 ;

C·Q·周 ;

林兴 .

:CN308691119S ,2024-06-18

[3]

半导体沉积反应器的支架主体 [P].

R·奈克 ;

苏俊威 ;

王文涛 ;

C·Q·周 ;

林兴 .

:CN308691121S ,2024-06-18

[4]

半导体沉积反应器歧管 [P].

D·南德瓦纳 ;

E·J·希罗 ;

C·L·怀特 ;

T·R·杜纳 ;

W·G·皮特罗 ;

J·L·温科 ;

A·奇塔莱 .

中国专利 :CN112695294A ,2021-04-23

[5]

半导体沉积反应器歧管 [P].

D·南德瓦纳 ;

E·J·希罗 ;

C·L·怀特 ;

T·R·杜纳 ;

W·G·皮特罗 ;

J·L·温科 ;

A·奇塔莱 .

:CN112695294B ,2025-02-18

[6]

用于半导体膜的外延沉积的快速冷却反应器 [P].

M·G·梅斯奇亚 ;

A·比博洛蒂 .

:CN119956480A ,2025-05-09

[7]

半导体处理反应器及其部件 [P].

E·谢罗 ;

M·维戈瑟 ;

C·怀特 ;

H·特霍斯特 ;

D·莫里斯 .

中国专利 :CN102365389A ,2012-02-29

[8]

半导体处理腔室用沉积环 [P].

基兰库马尔·N·萨凡迪亚 ;

宋佼 ;

大卫·冈瑟 ;

艾琳娜·H·怀索克 ;

安东尼·C-T·陈 .

中国专利 :CN306840504S ,2021-09-21

[9]

用于在衬底上外延沉积半导体材料的反应器 [P].

M·G·梅斯奇亚 ;

D·克里帕 ;

S·R·M·普雷蒂 ;

F·科里亚 ;

S·波利 .

:CN119615357A ,2025-03-14

[10]

用于半导体处理反应器的喷头电极设计 [P].

拉金德·丁德萨 ;

埃里克·兰兹 .

中国专利 :CN1663015A ,2005-08-31

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