半导体处理腔室用沉积环

被引：0

专利类型：

外观设计

申请号：

CN202130050791.X

申请日：

2021-01-22

公开(公告)号：

CN306840504S

公开(公告)日：

2021-09-21

发明(设计)人：

基兰库马尔·N·萨凡迪亚宋佼大卫·冈瑟艾琳娜·H·怀索克安东尼·C-T·陈

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

1599

IPC分类号：

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

闻卿

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-09-21	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体沉积腔室及半导体沉积设备 [P].

李继刚 ;

周纬 ;

朱顺利 ;

张俊 ;

张国伟 ;

王彬 .

中国专利 :CN223738133U ,2025-12-30

[2]

半导体处理腔室和薄膜沉积设备 [P].

毛文瑞 .

中国专利 :CN120485741A ,2025-08-15

[3]

半导体处理腔室 [P].

阿伦·缪尔·亨特 ;

梅兰·贝德亚特 ;

尼拉杰·默钱特 ;

道格拉斯·R·麦卡利斯特 ;

姚东明 ;

龙·刚·塞缪尔·陈 ;

劳拉·哈夫雷查克 .

中国专利 :CN109075108B ,2018-12-21

[4]

半导体处理腔室 [P].

G·托兰 ;

K·D·沙茨 ;

L·卡琳塔 ;

D·卢博米尔斯基 .

中国专利 :CN114503246A ,2022-05-13

[5]

半导体处理腔室 [P].

S·朴 ;

T·Q·特兰 ;

N·卡尔宁 ;

D·卢博米尔斯基 ;

A·德瓦拉孔达 .

中国专利 :CN209447761U ,2019-09-27

[6]

用于基板处理腔室的沉积环 [P].

曼朱纳塔·P·科帕 ;

阿拉文·卡马特 ;

蔡振雄 ;

曼朱纳特·H·V ;

史蒂文·V·桑索尼 ;

大卫·奥 .

中国专利 :CN305889712S ,2020-06-30

[7]

用于基板处理腔室的沉积环 [P].

伊利亚·拉维特斯凯 ;

基思·A·米勒 ;

吉留刚一 .

中国专利 :CN306487840S ,2021-04-23

[8]

处理半导体基板的方法及沉积腔室 [P].

张仲豪 ;

陈启通 .

中国专利 :CN110838432B ,2020-02-25

[9]

半导体处理腔室及清洁半导体处理腔室的方法 [P].

N·帕塔克 ;

张宇星 ;

T·A·恩古耶 ;

K·高希 ;

A·班塞尔 ;

J·C·罗查 .

中国专利 :CN114174554A ,2022-03-11

[10]

半导体处理腔室及清洁半导体处理腔室的方法 [P].

N·帕塔克 ;

张宇星 ;

T·A·恩古耶 ;

K·高希 ;

A·班塞尔 ;

J·C·罗查 .

美国专利 :CN114174554B ,2024-07-26

← 1 2 3 4 5 →