半导体处理腔室及清洁半导体处理腔室的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202080054583.X

申请日：

2020-07-23

公开(公告)号：

CN114174554A

公开(公告)日：

2022-03-11

发明(设计)人：

N·帕塔克张宇星 T·A·恩古耶 K·高希 A·班塞尔 J·C·罗查

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

C23C1644

IPC分类号：

C23C16455 C23C16458 C23C1652 H01J3732

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

付尉琳;侯颖媖

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-03-11	公开	公开
2022-03-29	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 16/44 申请日:20200723

共 50 条

[1]

半导体处理腔室及清洁半导体处理腔室的方法 [P].

N·帕塔克 ;

张宇星 ;

T·A·恩古耶 ;

K·高希 ;

A·班塞尔 ;

J·C·罗查 .

美国专利 :CN114174554B ,2024-07-26

[2]

半导体处理腔室 [P].

阿伦·缪尔·亨特 ;

梅兰·贝德亚特 ;

尼拉杰·默钱特 ;

道格拉斯·R·麦卡利斯特 ;

姚东明 ;

龙·刚·塞缪尔·陈 ;

劳拉·哈夫雷查克 .

中国专利 :CN109075108B ,2018-12-21

[3]

半导体处理腔室 [P].

S·朴 ;

T·Q·特兰 ;

N·卡尔宁 ;

D·卢博米尔斯基 ;

A·德瓦拉孔达 .

中国专利 :CN209447761U ,2019-09-27

[4]

半导体处理腔室和用于清洁所述半导体处理腔室的方法 [P].

V·K·潘迪 ;

V·普拉巴卡尔 ;

B·阿夫扎尔 ;

B·拉马穆尔蒂 ;

J·C·罗查 .

中国专利 :CN114207771A ,2022-03-18

[5]

半导体处理腔室 [P].

G·托兰 ;

K·D·沙茨 ;

L·卡琳塔 ;

D·卢博米尔斯基 .

中国专利 :CN114503246A ,2022-05-13

[6]

半导体晶片处理腔室及半导体处理设备 [P].

贾强 .

中国专利 :CN208848871U ,2019-05-10

[7]

半导体晶片处理腔室及半导体处理设备 [P].

贾强 .

中国专利 :CN111799191A ,2020-10-20

[8]

对称半导体处理腔室 [P].

Y·萨罗德 .

美国专利 :CN117501425A ,2024-02-02

[9]

半导体处理腔室及半导体镀膜设备 [P].

李荣生 ;

杨德赞 .

中国专利 :CN118007097A ,2024-05-10

[10]

半导体处理腔室及半导体镀膜设备 [P].

李荣生 ;

杨德赞 .

中国专利 :CN221877167U ,2024-10-22

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