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半导体晶片处理腔室及半导体处理设备
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201910281869.0
申请日
:
2019-04-09
公开(公告)号
:
CN111799191A
公开(公告)日
:
2020-10-20
发明(设计)人
:
贾强
申请人
:
申请人地址
:
100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道8号
IPC主分类号
:
H01L2167
IPC分类号
:
C23C1456
代理机构
:
北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112
代理人
:
彭瑞欣;张天舒
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2020-11-06
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/67 申请日:20190409
2020-10-20
公开
公开
共 50 条
[1]
半导体晶片处理腔室及半导体处理设备
[P].
贾强
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
贾强
.
中国专利
:CN208848871U
,2019-05-10
[2]
用于处理半导体晶片的半导体处理设备
[P].
J·H·张
论文数:
0
引用数:
0
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0
J·H·张
.
中国专利
:CN203503622U
,2014-03-26
[3]
处理半导体晶片的激光束处理设备、方法及半导体晶片
[P].
木田刚
论文数:
0
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0
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0
木田刚
.
中国专利
:CN1744284A
,2006-03-08
[4]
一种半导体处理腔室、设备及半导体处理方法
[P].
李焕珪
论文数:
0
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0
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0
李焕珪
;
周娜
论文数:
0
引用数:
0
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0
周娜
;
李俊杰
论文数:
0
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0
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0
李俊杰
;
李琳
论文数:
0
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0
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李琳
;
王佳
论文数:
0
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0
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0
王佳
.
中国专利
:CN114743853A
,2022-07-12
[5]
半导体晶片处理
[P].
入口祥一
论文数:
0
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0
入口祥一
;
佐田博之
论文数:
0
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佐田博之
;
谷野元气
论文数:
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0
谷野元气
.
中国专利
:CN104205303A
,2014-12-10
[6]
半导体处理腔室及半导体镀膜设备
[P].
李荣生
论文数:
0
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0
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0
机构:
江苏微导纳米科技股份有限公司
江苏微导纳米科技股份有限公司
李荣生
;
杨德赞
论文数:
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0
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0
机构:
江苏微导纳米科技股份有限公司
江苏微导纳米科技股份有限公司
杨德赞
.
中国专利
:CN118007097A
,2024-05-10
[7]
半导体处理腔室及半导体镀膜设备
[P].
李荣生
论文数:
0
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0
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机构:
江苏微导纳米科技股份有限公司
江苏微导纳米科技股份有限公司
李荣生
;
杨德赞
论文数:
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0
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0
机构:
江苏微导纳米科技股份有限公司
江苏微导纳米科技股份有限公司
杨德赞
.
中国专利
:CN221877167U
,2024-10-22
[8]
一种半导体工艺腔室及半导体处理设备
[P].
王铮
论文数:
0
引用数:
0
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0
王铮
.
中国专利
:CN115036240A
,2022-09-09
[9]
一种半导体工艺腔室及半导体处理设备
[P].
王铮
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
北京北方华创微电子装备有限公司
北京北方华创微电子装备有限公司
王铮
.
中国专利
:CN115036240B
,2025-03-14
[10]
处理半导体晶片的方法、半导体晶片以及半导体器件
[P].
菲利普·雷诺
论文数:
0
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0
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菲利普·雷诺
;
罗兰德·塞拉诺
论文数:
0
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0
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0
罗兰德·塞拉诺
.
中国专利
:CN103109350A
,2013-05-15
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