一种半导体处理腔室、设备及半导体处理方法

被引：0

申请号：

CN202110018473.4

申请日：

2021-01-07

公开(公告)号：

CN114743853A

公开(公告)日：

2022-07-12

发明(设计)人：

李焕珪周娜李俊杰李琳王佳

申请人：

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

H01J3732

IPC分类号：

H01L2167 H01L2102 B08B700 B08B1300

代理机构：

北京知迪知识产权代理有限公司 11628

代理人：

王胜利

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-07-29	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01J 37/32 申请日:20210107
2022-07-12	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体晶片处理腔室及半导体处理设备 [P].

贾强 .

中国专利 :CN208848871U ,2019-05-10

[2]

半导体晶片处理腔室及半导体处理设备 [P].

贾强 .

中国专利 :CN111799191A ,2020-10-20

[3]

一种半导体工艺腔室及半导体处理设备 [P].

王铮 .

中国专利 :CN115036240A ,2022-09-09

[4]

一种半导体工艺腔室及半导体处理设备 [P].

王铮 .

中国专利 :CN115036240B ,2025-03-14

[5]

半导体处理腔室及半导体镀膜设备 [P].

李荣生 ;

杨德赞 .

中国专利 :CN118007097A ,2024-05-10

[6]

半导体处理腔室及半导体镀膜设备 [P].

李荣生 ;

杨德赞 .

中国专利 :CN221877167U ,2024-10-22

[7]

温度控制组件、半导体处理腔室及半导体处理设备 [P].

朱双双 ;

陈昊 ;

黎微明 .

中国专利 :CN114975178B ,2024-04-05

[8]

一种半导体工艺腔室及半导体处理设备 [P].

谷彦龙 ;

刘俊义 ;

金泽文 .

中国专利 :CN220796659U ,2024-04-16

[9]

半导体处理腔室 [P].

G·托兰 ;

K·D·沙茨 ;

L·卡琳塔 ;

D·卢博米尔斯基 .

中国专利 :CN114503246A ,2022-05-13

[10]

半导体处理腔室 [P].

S·朴 ;

T·Q·特兰 ;

N·卡尔宁 ;

D·卢博米尔斯基 ;

A·德瓦拉孔达 .

中国专利 :CN209447761U ,2019-09-27

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