温度控制组件、半导体处理腔室及半导体处理设备

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202210548371.8

申请日：

2022-05-18

公开(公告)号：

CN114975178B

公开(公告)日：

2024-04-05

发明(设计)人：

朱双双陈昊黎微明

申请人：

江苏微导纳米科技股份有限公司

申请人地址：

214028 江苏省无锡市新吴区长江南路27号

IPC主分类号：

H01L21/67

IPC分类号：

H01L21/22 H01L21/673 H01L31/18 C23C16/458 C23C16/46 C23C16/52

代理机构：

深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280

代理人：

李申

法律状态：

著录事项变更

国省代码：

江苏省无锡市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-01-12	著录事项变更	著录事项变更IPC(主分类):H01L 21/67变更事项:申请人变更前:江苏微导纳米科技股份有限公司变更后:江苏微导纳米科技股份有限公司变更事项:地址变更前:214000 江苏省无锡市新吴区漓江路11号变更后:214028 江苏省无锡市新吴区长江南路27号
2024-04-05	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体晶片处理腔室及半导体处理设备 [P].

贾强 .

中国专利 :CN208848871U ,2019-05-10

[2]

半导体晶片处理腔室及半导体处理设备 [P].

贾强 .

中国专利 :CN111799191A ,2020-10-20

[3]

一种半导体处理腔室、设备及半导体处理方法 [P].

李焕珪 ;

周娜 ;

李俊杰 ;

李琳 ;

王佳 .

中国专利 :CN114743853A ,2022-07-12

[4]

半导体处理腔室及半导体镀膜设备 [P].

李荣生 ;

杨德赞 .

中国专利 :CN118007097A ,2024-05-10

[5]

半导体处理腔室及半导体镀膜设备 [P].

李荣生 ;

杨德赞 .

中国专利 :CN221877167U ,2024-10-22

[6]

工艺腔室及半导体处理设备 [P].

靳阳 ;

史全宇 .

中国专利 :CN119506834A ,2025-02-25

[7]

工艺腔室及半导体处理设备 [P].

侯珏 ;

兰玥 ;

佘清 ;

李晓强 ;

王厚工 ;

丁培军 .

中国专利 :CN111986976B ,2020-11-24

[8]

半导体处理腔室及清洁半导体处理腔室的方法 [P].

N·帕塔克 ;

张宇星 ;

T·A·恩古耶 ;

K·高希 ;

A·班塞尔 ;

J·C·罗查 .

中国专利 :CN114174554A ,2022-03-11

[9]

半导体设备处理方法及半导体处理设备 [P].

付海涛 ;

庄宇峰 ;

吕术亮 ;

李远 ;

董维 ;

谢忠帅 ;

徐立 .

中国专利 :CN120231030A ,2025-07-01

[10]

半导体处理腔室及清洁半导体处理腔室的方法 [P].

N·帕塔克 ;

张宇星 ;

T·A·恩古耶 ;

K·高希 ;

A·班塞尔 ;

J·C·罗查 .

美国专利 :CN114174554B ,2024-07-26

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