半导体处理腔室

被引：0

申请号：

CN202080070212.0

申请日：

2020-09-04

公开(公告)号：

CN114503246A

公开(公告)日：

2022-05-13

发明(设计)人：

G·托兰 K·D·沙茨 L·卡琳塔 D·卢博米尔斯基

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L2167

IPC分类号：

H01J3732 H01L213065

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

侯颖媖;张鑫

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-05-31	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/67 申请日:20200904
2022-05-13	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体处理腔室 [P].

S·朴 ;

T·Q·特兰 ;

N·卡尔宁 ;

D·卢博米尔斯基 ;

A·德瓦拉孔达 .

中国专利 :CN209447761U ,2019-09-27

[2]

半导体处理腔室部件组件 [P].

V·菲鲁兹多尔 ;

I·优素福 ;

S·E·巴巴扬 ;

R·丁德萨 ;

C·李 ;

K·多恩 ;

A·奥马利 .

中国专利 :CN206758409U ,2017-12-15

[3]

半导体处理腔室和等离子体处理腔室 [P].

D·卢博米尔斯基 .

中国专利 :CN207637743U ,2018-07-20

[4]

半导体处理腔室适配器 [P].

S·T·恩古耶 ;

K·D·沙茨 ;

A·N·恩古耶 ;

郑顺旭 ;

R·帕库斯基 ;

王安川 ;

李子汇 .

美国专利 :CN117642837A ,2024-03-01

[5]

工艺腔室和半导体处理设备 [P].

王桂滨 ;

韦刚 .

中国专利 :CN111755308B ,2020-10-09

[6]

半导体处理腔室 [P].

阿伦·缪尔·亨特 ;

梅兰·贝德亚特 ;

尼拉杰·默钱特 ;

道格拉斯·R·麦卡利斯特 ;

姚东明 ;

龙·刚·塞缪尔·陈 ;

劳拉·哈夫雷查克 .

中国专利 :CN109075108B ,2018-12-21

[7]

半导体处理腔室及半导体镀膜设备 [P].

李荣生 ;

杨德赞 .

中国专利 :CN118007097A ,2024-05-10

[8]

半导体处理腔室及半导体镀膜设备 [P].

李荣生 ;

杨德赞 .

中国专利 :CN221877167U ,2024-10-22

[9]

半导体处理腔室及清洁半导体处理腔室的方法 [P].

N·帕塔克 ;

张宇星 ;

T·A·恩古耶 ;

K·高希 ;

A·班塞尔 ;

J·C·罗查 .

中国专利 :CN114174554A ,2022-03-11

[10]

半导体处理腔室及清洁半导体处理腔室的方法 [P].

N·帕塔克 ;

张宇星 ;

T·A·恩古耶 ;

K·高希 ;

A·班塞尔 ;

J·C·罗查 .

美国专利 :CN114174554B ,2024-07-26

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