半导体处理腔室适配器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202280046471.9

申请日：

2022-06-17

公开(公告)号：

CN117642837A

公开(公告)日：

2024-03-01

发明(设计)人：

S·T·恩古耶 K·D·沙茨 A·N·恩古耶郑顺旭 R·帕库斯基王安川李子汇

申请人：

应用材料公司

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01J37/32

IPC分类号：

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

侯颖媖;张鑫

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-03-01	公开	公开
2024-03-19	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01J 37/32申请日:20220617

共 50 条

[1]

半导体处理腔室 [P].

G·托兰 ;

K·D·沙茨 ;

L·卡琳塔 ;

D·卢博米尔斯基 .

中国专利 :CN114503246A ,2022-05-13

[2]

半导体处理腔室 [P].

S·朴 ;

T·Q·特兰 ;

N·卡尔宁 ;

D·卢博米尔斯基 ;

A·德瓦拉孔达 .

中国专利 :CN209447761U ,2019-09-27

[3]

半导体装置及其适配器 [P].

西沢裕孝 ;

小池秀雄 ;

岩崎浩典 ;

大迫润一郎 ;

篠原稔 ;

和田环 ;

户塚隆 .

中国专利 :CN101536018A ,2009-09-16

[4]

用于多前体流的半导体处理腔室 [P].

D·杨 ;

M·T·萨米尔 ;

D·卢伯米尔斯基 ;

P·希尔曼 ;

S·帕克 ;

M·Y·崔 ;

L·朱 ;

N·英格尔 .

中国专利 :CN108962715B ,2018-12-07

[5]

半导体存储装置及适配器 [P].

枣田翼 ;

井户道雄 ;

佐藤圭介 ;

远藤重人 ;

西山拓 ;

渡边胜好 .

中国专利 :CN106815627A ,2017-06-09

[6]

基板适配器生产方法、基板适配器和半导体元件接触方法 [P].

马丁·布雷夫斯 ;

安德列亚斯·欣里希 ;

安德列亚斯·克莱因 ;

迈克尔·舍费尔 ;

伊利萨·克里尔 .

中国专利 :CN105632949B ,2016-06-01

[7]

用于经改善的前驱物流的半导体处理腔室 [P].

陈天发 ;

D·卢博米尔斯基 ;

S·郑 ;

S·朴 ;

R·W·卢 ;

P·范 ;

E·C·苏亚雷斯 .

中国专利 :CN108962714B ,2018-12-07

[8]

腔镜适配器 [P].

刘青 ;

胡景棋 ;

路新 ;

杨雪兰 ;

刘立波 .

中国专利 :CN309226959S ,2025-04-08

[9]

用于处理腔室的适配器和灯组件 [P].

约瑟夫·M·拉内什 ;

阿伦·米勒 ;

欧乐·瑟热比亚夫 .

中国专利 :CN206349336U ,2017-07-21

[10]

半导体处理腔室 [P].

阿伦·缪尔·亨特 ;

梅兰·贝德亚特 ;

尼拉杰·默钱特 ;

道格拉斯·R·麦卡利斯特 ;

姚东明 ;

龙·刚·塞缪尔·陈 ;

劳拉·哈夫雷查克 .

中国专利 :CN109075108B ,2018-12-21

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