用于经改善的前驱物流的半导体处理腔室

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810471950.0

申请日：

2018-05-17

公开(公告)号：

CN108962714B

公开(公告)日：

2018-12-07

发明(设计)人：

陈天发 D·卢博米尔斯基 S·郑 S·朴 R·W·卢 P·范 E·C·苏亚雷斯

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01J3732

IPC分类号：

H01L2167

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

汪骏飞;侯颖媖

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-03-13	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01J 37/32 申请日:20180517
2018-12-07	公开	公开
2022-12-02	授权	授权

共 50 条

[1]

用于多前体流的半导体处理腔室 [P].

D·杨 ;

M·T·萨米尔 ;

D·卢伯米尔斯基 ;

P·希尔曼 ;

S·帕克 ;

M·Y·崔 ;

L·朱 ;

N·英格尔 .

中国专利 :CN108962715B ,2018-12-07

[2]

半导体处理腔室适配器 [P].

S·T·恩古耶 ;

K·D·沙茨 ;

A·N·恩古耶 ;

郑顺旭 ;

R·帕库斯基 ;

王安川 ;

李子汇 .

美国专利 :CN117642837A ,2024-03-01

[3]

半导体处理腔室 [P].

G·托兰 ;

K·D·沙茨 ;

L·卡琳塔 ;

D·卢博米尔斯基 .

中国专利 :CN114503246A ,2022-05-13

[4]

半导体处理腔室 [P].

S·朴 ;

T·Q·特兰 ;

N·卡尔宁 ;

D·卢博米尔斯基 ;

A·德瓦拉孔达 .

中国专利 :CN209447761U ,2019-09-27

[5]

用于半导体处理腔室的基座提升 [P].

布赖恩·T·韦斯特 ;

米罗斯拉夫·盖洛 ;

严·罗赞松 ;

罗杰·M·约翰逊 ;

马克·科温顺 ;

桑德拉贾·吉姆布林甘姆 ;

西蒙·尼古拉斯·宾斯 ;

维韦克·维尼特 .

中国专利 :CN113795608A ,2021-12-14

[6]

用于半导体处理腔室的基座提升 [P].

布赖恩·T·韦斯特 ;

米罗斯拉夫·盖洛 ;

严·罗赞松 ;

罗杰·M·约翰逊 ;

马克·科温顺 ;

桑德拉贾·吉姆布林甘姆 ;

西蒙·尼古拉斯·宾斯 ;

维韦克·维尼特 .

美国专利 :CN113795608B ,2024-02-20

[7]

半导体处理腔室和用于清洁所述半导体处理腔室的方法 [P].

V·K·潘迪 ;

V·普拉巴卡尔 ;

B·阿夫扎尔 ;

B·拉马穆尔蒂 ;

J·C·罗查 .

中国专利 :CN114207771A ,2022-03-18

[8]

用于半导体处理腔室的制品 [P].

邬笑炜 ;

J·Y·孙 ;

M·R·赖斯 .

中国专利 :CN213295503U ,2021-05-28

[9]

半导体处理腔室及清洁半导体处理腔室的方法 [P].

N·帕塔克 ;

张宇星 ;

T·A·恩古耶 ;

K·高希 ;

A·班塞尔 ;

J·C·罗查 .

中国专利 :CN114174554A ,2022-03-11

[10]

半导体处理腔室及清洁半导体处理腔室的方法 [P].

N·帕塔克 ;

张宇星 ;

T·A·恩古耶 ;

K·高希 ;

A·班塞尔 ;

J·C·罗查 .

美国专利 :CN114174554B ,2024-07-26

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