用于半导体处理腔室的制品

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201921136508.9

申请日：

2019-07-18

公开(公告)号：

CN213295503U

公开(公告)日：

2021-05-28

发明(设计)人：

邬笑炜 J·Y·孙 M·R·赖斯

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

C23C1640

IPC分类号：

C23C16455

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

侯颖媖;张鑫

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-05-28	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体处理腔室和用于清洁所述半导体处理腔室的方法 [P].

V·K·潘迪 ;

V·普拉巴卡尔 ;

B·阿夫扎尔 ;

B·拉马穆尔蒂 ;

J·C·罗查 .

中国专利 :CN114207771A ,2022-03-18

[2]

半导体处理腔室及清洁半导体处理腔室的方法 [P].

N·帕塔克 ;

张宇星 ;

T·A·恩古耶 ;

K·高希 ;

A·班塞尔 ;

J·C·罗查 .

中国专利 :CN114174554A ,2022-03-11

[3]

半导体处理腔室及清洁半导体处理腔室的方法 [P].

N·帕塔克 ;

张宇星 ;

T·A·恩古耶 ;

K·高希 ;

A·班塞尔 ;

J·C·罗查 .

美国专利 :CN114174554B ,2024-07-26

[4]

半导体处理腔室 [P].

阿伦·缪尔·亨特 ;

梅兰·贝德亚特 ;

尼拉杰·默钱特 ;

道格拉斯·R·麦卡利斯特 ;

姚东明 ;

龙·刚·塞缪尔·陈 ;

劳拉·哈夫雷查克 .

中国专利 :CN109075108B ,2018-12-21

[5]

半导体处理腔室 [P].

G·托兰 ;

K·D·沙茨 ;

L·卡琳塔 ;

D·卢博米尔斯基 .

中国专利 :CN114503246A ,2022-05-13

[6]

半导体处理腔室 [P].

S·朴 ;

T·Q·特兰 ;

N·卡尔宁 ;

D·卢博米尔斯基 ;

A·德瓦拉孔达 .

中国专利 :CN209447761U ,2019-09-27

[7]

用于半导体处理腔室的基座提升 [P].

布赖恩·T·韦斯特 ;

米罗斯拉夫·盖洛 ;

严·罗赞松 ;

罗杰·M·约翰逊 ;

马克·科温顺 ;

桑德拉贾·吉姆布林甘姆 ;

西蒙·尼古拉斯·宾斯 ;

维韦克·维尼特 .

中国专利 :CN113795608A ,2021-12-14

[8]

用于半导体处理腔室的基座提升 [P].

布赖恩·T·韦斯特 ;

米罗斯拉夫·盖洛 ;

严·罗赞松 ;

罗杰·M·约翰逊 ;

马克·科温顺 ;

桑德拉贾·吉姆布林甘姆 ;

西蒙·尼古拉斯·宾斯 ;

维韦克·维尼特 .

美国专利 :CN113795608B ,2024-02-20

[9]

对称半导体处理腔室 [P].

Y·萨罗德 .

美国专利 :CN117501425A ,2024-02-02

[10]

用于半导体反应腔室的防护条及半导体反应腔室 [P].

田才忠 ;

余先炜 ;

王美玲 .

中国专利 :CN216698307U ,2022-06-07

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