半导体处理腔室和等离子体处理腔室

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201721185871.0

申请日：

2017-09-15

公开(公告)号：

CN207637743U

公开(公告)日：

2018-07-20

发明(设计)人：

D·卢博米尔斯基

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01J3732

IPC分类号：

H01L2167 B05B1302

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

侯颖媖;金红莲

法律状态：

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国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-07-20	授权	授权

共 50 条

[1]

等离子体处理腔室及用于等离子体处理腔室的环 [P].

艾伦·L·丹布拉 ;

舍什拉伊·L·图尔什巴瓦勒 .

中国专利 :CN208908212U ,2019-05-28

[2]

等离子体处理腔室及用于等离子体处理腔室的环 [P].

艾伦·L·丹布拉 ;

舍什拉伊·L·图尔什巴瓦勒 .

中国专利 :CN207637742U ,2018-07-20

[3]

半导体处理腔室 [P].

G·托兰 ;

K·D·沙茨 ;

L·卡琳塔 ;

D·卢博米尔斯基 .

中国专利 :CN114503246A ,2022-05-13

[4]

半导体处理腔室 [P].

S·朴 ;

T·Q·特兰 ;

N·卡尔宁 ;

D·卢博米尔斯基 ;

A·德瓦拉孔达 .

中国专利 :CN209447761U ,2019-09-27

[5]

半导体处理腔室中的等离子体点燃优化 [P].

S·郑 ;

K·D·沙茨 .

中国专利 :CN115605974A ,2023-01-13

[6]

用于等离子体处理的装置和等离子体处理腔室 [P].

T·Q·特兰 ;

S·朴 ;

Z·翁 ;

D·卢博米尔斯基 .

中国专利 :CN206225317U ,2017-06-06

[7]

等离子体处理腔室的清洁方法 [P].

周军 ;

李江 ;

孙海辉 .

中国专利 :CN104752258A ,2015-07-01

[8]

等离子体处理腔室及电极 [P].

陈金元 ;

崔强 ;

高颖 ;

尹志尧 ;

杜志游 .

中国专利 :CN203038891U ,2013-07-03

[9]

近腔室等离子体馈入装置、半导体工艺腔室和设备 [P].

伊藤正雄 ;

林源为 .

中国专利 :CN117894660A ,2024-04-16

[10]

近腔室等离子体馈入装置、半导体工艺腔室和设备 [P].

伊藤正雄 ;

林源为 .

中国专利 :CN117894660B ,2024-11-26

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