等离子体处理腔室及电极

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201220726922.7

申请日：

2012-12-25

公开(公告)号：

CN203038891U

公开(公告)日：

2013-07-03

发明(设计)人：

陈金元崔强高颖尹志尧杜志游

申请人：

申请人地址：

201201 上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号

IPC主分类号：

H01J3732

IPC分类号：

代理机构：

隆天国际知识产权代理有限公司 72003

代理人：

张龙哺;吕俊清

法律状态：

专利权质押合同登记的生效、变更及注销

国省代码：

引用

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共 50 条

[1]

等离子体处理腔室及用于等离子体处理腔室的环 [P].

艾伦·L·丹布拉 ;

舍什拉伊·L·图尔什巴瓦勒 .

中国专利 :CN208908212U ,2019-05-28

[2]

等离子体处理腔室及用于等离子体处理腔室的环 [P].

艾伦·L·丹布拉 ;

舍什拉伊·L·图尔什巴瓦勒 .

中国专利 :CN207637742U ,2018-07-20

[3]

等离子体处理腔室的下电极组件 [P].

贾森·奥古斯蒂诺 ;

康·召 ;

基思·威廉·加夫 ;

汉·通·哈 ;

布雷特·C·理查森 ;

哈梅特·辛格 .

中国专利 :CN102187741A ,2011-09-14

[4]

用于等离子体处理腔室的等离子体屏 [P].

M·T·尼科尔斯 ;

I·尤瑟夫 ;

J·A·奥马利三世 ;

R·丁德萨 ;

S·E·巴巴扬 .

中国专利 :CN109643630A ,2019-04-16

[5]

用于等离子体处理的装置和等离子体处理腔室 [P].

T·Q·特兰 ;

S·朴 ;

Z·翁 ;

D·卢博米尔斯基 .

中国专利 :CN206225317U ,2017-06-06

[6]

下电极组件及等离子体处理装置 [P].

郭二飞 ;

左涛涛 .

中国专利 :CN222734926U ,2025-04-08

[7]

半导体处理腔室和等离子体处理腔室 [P].

D·卢博米尔斯基 .

中国专利 :CN207637743U ,2018-07-20

[8]

用于等离子体处理室的电极 [P].

埃文·爱德华·巴顿 ;

约翰·多尔蒂 .

中国专利 :CN109994352A ,2019-07-09

[9]

等离子体处理室 [P].

辻本宏 .

中国专利 :CN100440427C ,2007-04-04

[10]

等离子体处理室 [P].

许临 ;

托马斯·R·史蒂文森 ;

格雷森·福特 ;

萨蒂什·斯里尼瓦桑 .

中国专利 :CN112805805A ,2021-05-14

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-09-05	专利权质押合同登记的生效、变更及注销	专利权质押合同登记的注销号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101758727452 IPC(主分类):H01J 37/32 授权公告日:20130703 申请日:20121225 专利号:ZL2012207269227 登记号:2009310000663 出质人:中微半导体设备(上海)有限公司质权人:国家开发银行股份有限公司解除日:20170809
2023-01-10	专利权的终止	专利权有效期届满 IPC(主分类):H01J 37/32 申请日:20121225 授权公告日:20130703
2019-04-05	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01J 37/32 变更事项:专利权人变更前:中微半导体设备（上海）有限公司变更后:中微半导体设备（上海）股份有限公司变更事项:地址变更前:201201 上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号变更后:201201 上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号
2015-04-22	专利权质押合同登记的生效、变更及注销	专利权质押合同登记的生效号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101712122912 IPC(主分类):H01J 37/32 专利号:ZL2012207269227 登记号:2009310000663 登记生效日:20150202 出质人:中微半导体设备(上海)有限公司质权人:国家开发银行股份有限公司实用新型名称:等离子体处理腔室及电极申请日:20121225 授权公告日:20130703
2013-07-03	授权	授权