处理半导体基板的方法及沉积腔室

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910760074.8

申请日：

2019-08-16

公开(公告)号：

CN110838432B

公开(公告)日：

2020-02-25

发明(设计)人：

张仲豪陈启通

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L2167

代理机构：

北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006

代理人：

徐金国

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-03-20	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20190816
2020-02-25	公开	公开
2022-07-12	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体处理腔室 [P].

G·托兰 ;

K·D·沙茨 ;

L·卡琳塔 ;

D·卢博米尔斯基 .

中国专利 :CN114503246A ,2022-05-13

[2]

半导体沉积腔室及半导体沉积设备 [P].

李继刚 ;

周纬 ;

朱顺利 ;

张俊 ;

张国伟 ;

王彬 .

中国专利 :CN223738133U ,2025-12-30

[3]

半导体处理腔室及清洁半导体处理腔室的方法 [P].

N·帕塔克 ;

张宇星 ;

T·A·恩古耶 ;

K·高希 ;

A·班塞尔 ;

J·C·罗查 .

中国专利 :CN114174554A ,2022-03-11

[4]

半导体处理腔室及清洁半导体处理腔室的方法 [P].

N·帕塔克 ;

张宇星 ;

T·A·恩古耶 ;

K·高希 ;

A·班塞尔 ;

J·C·罗查 .

美国专利 :CN114174554B ,2024-07-26

[5]

半导体处理腔室用沉积环 [P].

基兰库马尔·N·萨凡迪亚 ;

宋佼 ;

大卫·冈瑟 ;

艾琳娜·H·怀索克 ;

安东尼·C-T·陈 .

中国专利 :CN306840504S ,2021-09-21

[6]

半导体基板处理方法及半导体器件 [P].

李济婷 .

中国专利 :CN114023642A ,2022-02-08

[7]

半导体基板处理方法及半导体器件 [P].

李济婷 .

中国专利 :CN114023642B ,2025-02-07

[8]

定向腔室及处理基板的方法 [P].

洪伟华 .

中国专利 :CN110660706B ,2020-01-07

[9]

半导体基板的处理方法和半导体基板的处理装置 [P].

清田健司 ;

福冈哲夫 .

中国专利 :CN110199379A ,2019-09-03

[10]

气环、半导体基板处理装置及半导体基板处理方法 [P].

上田博一 ;

田中义伸 ;

大塚康弘 ;

中桥政信 .

中国专利 :CN101604624B ,2009-12-16

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