半导体基板的处理方法和半导体基板的处理装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201880008160.7

申请日：

2018-01-16

公开(公告)号：

CN110199379A

公开(公告)日：

2019-09-03

发明(设计)人：

清田健司福冈哲夫

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L21304

IPC分类号：

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277

代理人：

刘新宇

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-09-03	公开	公开
2019-11-22	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/304 申请日:20180116

共 50 条

[1]

半导体基板装置、半导体处理方法以及半导体处理装置 [P].

金昶振 .

韩国专利 :CN117936518A ,2024-04-26

[2]

半导体基板的处理装置 [P].

吕维伦 ;

郭光扬 ;

陈皇宇 ;

王建竣 ;

白玉磐 .

中国专利 :CN108615787A ,2018-10-02

[3]

气环、半导体基板处理装置及半导体基板处理方法 [P].

上田博一 ;

田中义伸 ;

大塚康弘 ;

中桥政信 .

中国专利 :CN101604624B ,2009-12-16

[4]

半导体基板的处理方法 [P].

吴孟修 ;

陈永芳 ;

戴煜暐 ;

王嘉庆 ;

温志中 ;

洪傅献 ;

邱颂盛 .

中国专利 :CN101872800A ,2010-10-27

[5]

半导体基板处理装置、剥离方法和半导体装置的制造方法 [P].

田牧一郎 .

中国专利 :CN106919014A ,2017-07-04

[6]

用于处理半导体基板的组合物以及半导体基板的处理方法 [P].

吴正植 ;

金泰镐 ;

金起莹 ;

李明镐 ;

宋明根 .

中国专利 :CN115678685A ,2023-02-03

[7]

半导体装置，半导体装置的制造方法，半导体基板，和半导体基板的制造方法 [P].

秦雅彦 ;

福原升 ;

山田永 ;

高木信一 ;

杉山正和 ;

竹中充 ;

安田哲二 ;

宫田典幸 ;

板谷太郎 ;

石井裕之 ;

大竹晃浩 ;

奈良纯 .

中国专利 :CN102239549B ,2011-11-09

[8]

半导体装置、半导体装置的制造方法、半导体基板、和半导体基板的制造方法 [P].

秦雅彦 ;

福原升 ;

山田永 ;

高木信一 ;

杉山正和 ;

竹中充 ;

安田哲二 ;

宫田典幸 ;

板谷太郎 ;

石井裕之 ;

大竹晃浩 ;

奈良纯 .

中国专利 :CN103474354A ,2013-12-25

[9]

半导体基板和半导体基板的制造方法 [P].

今冈功 ;

小林元树 ;

内田英次 ;

八木邦明 ;

河原孝光 ;

八田直记 ;

南章行 ;

坂田丰和 ;

牧野友厚 ;

加藤光治 .

中国专利 :CN106489187A ,2017-03-08

[10]

半导体基板的制造方法和半导体基板 [P].

黄杰 ;

宁策 ;

李正亮 ;

胡合合 ;

贺家煜 ;

姚念琦 ;

赵坤 ;

曲峰 ;

许晓春 .

中国专利 :CN113838801A ,2021-12-24

← 1 2 3 4 5 →