半导体基板的处理方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910137337.6

申请日：

2009-04-24

公开(公告)号：

CN101872800A

公开(公告)日：

2010-10-27

发明(设计)人：

吴孟修陈永芳戴煜暐王嘉庆温志中洪傅献邱颂盛

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市

IPC主分类号：

H01L3118

IPC分类号：

H01L2122 H01L21304 H01L2100

代理机构：

北京泛诚知识产权代理有限公司 11298

代理人：

文琦;杨本良

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-10-27	公开	公开
2010-12-08	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101021882059 IPC(主分类):H01L 31/18 专利申请号:2009101373376 申请日:20090424
2020-04-14	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 31/18 申请日:20090424 授权公告日:20120523 终止日期:20190424
2012-05-23	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体基板的处理方法和半导体基板的处理装置 [P].

清田健司 ;

福冈哲夫 .

中国专利 :CN110199379A ,2019-09-03

[2]

用于处理半导体基板的组合物以及半导体基板的处理方法 [P].

吴正植 ;

金泰镐 ;

金起莹 ;

李明镐 ;

宋明根 .

中国专利 :CN115678685A ,2023-02-03

[3]

半导体基板装置、半导体处理方法以及半导体处理装置 [P].

金昶振 .

韩国专利 :CN117936518A ,2024-04-26

[4]

气环、半导体基板处理装置及半导体基板处理方法 [P].

上田博一 ;

田中义伸 ;

大塚康弘 ;

中桥政信 .

中国专利 :CN101604624B ,2009-12-16

[5]

半导体基板处理方法及半导体器件 [P].

李济婷 .

中国专利 :CN114023642A ,2022-02-08

[6]

半导体基板处理方法及半导体器件 [P].

李济婷 .

中国专利 :CN114023642B ,2025-02-07

[7]

用于处理半导体基板的方法、得到的半导体基板及其用途 [P].

吴坚 ;

姚铮 ;

王栩生 ;

蒋方丹 ;

邢国强 .

中国专利 :CN107256904B ,2017-10-17

[8]

用于处理半导体基板的方法、得到的半导体基板及其用途 [P].

吴坚 ;

姚铮 ;

王栩生 ;

蒋方丹 ;

邢国强 .

中国专利 :CN107369616B ,2017-11-21

[9]

半导体基板的处理液、处理方法、使用这些的半导体基板产品的制造方法 [P].

上村哲也 ;

杉岛泰雄 ;

水谷笃史 .

中国专利 :CN105745739A ,2016-07-06

[10]

半导体基板的制造方法、半导体基板、及半导体基板的制造装置 [P].

荻原光彦 ;

桥本明弘 .

日本专利 :CN118435320A ,2024-08-02

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