半导体基板处理方法及半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111170620.6

申请日：

2021-10-08

公开(公告)号：

CN114023642B

公开(公告)日：

2025-02-07

发明(设计)人：

李济婷

申请人：

长鑫存储技术有限公司

申请人地址：

230000 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号

IPC主分类号：

H01L21/311

IPC分类号：

H01L21/027

代理机构：

代理人：

法律状态：

授权

国省代码：

安徽省宣城市

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-02-07	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体基板处理方法及半导体器件 [P].

李济婷 .

中国专利 :CN114023642A ,2022-02-08

[2]

半导体基板、半导体器件及半导体基板的制造方法 [P].

高田朋幸 ;

山中贞则 .

中国专利 :CN102754189A ,2012-10-24

[3]

半导体基板、半导体器件及半导体基板的制造方法 [P].

山中贞则 ;

高田朋幸 ;

秦雅彦 .

中国专利 :CN102668029A ,2012-09-12

[4]

半导体器件、半导体基板、半导体基板的制造方法及半导体器件的制造方法 [P].

秦雅彦 ;

山田永 ;

横山正史 ;

金相贤 ;

张睿 ;

竹中充 ;

高木信一 ;

安田哲二 .

中国专利 :CN103563069A ,2014-02-05

[5]

半导体器件、半导体基板、半导体基板的制造方法及半导体器件的制造方法 [P].

高田朋幸 ;

山田永 ;

秦雅彦 ;

高木信一 ;

前田辰郎 ;

卜部友二 ;

安田哲二 .

中国专利 :CN103548133A ,2014-01-29

[6]

半导体器件、半导体基板、半导体基板的制造方法及半导体器件的制造方法 [P].

秦雅彦 ;

山田永 ;

横山正史 ;

金相贤 ;

竹中充 ;

高木信一 ;

安田哲二 .

中国专利 :CN103563068A ,2014-02-05

[7]

半导体基板和半导体器件 [P].

加藤大望 ;

吉田学史 ;

田岛纯平 ;

上杉谦次郎 ;

彦坂年辉 ;

汤元美树 ;

布上真也 ;

蔵口雅彦 .

中国专利 :CN109524455A ,2019-03-26

[8]

半导体器件及半导体器件结构 [P].

P·莫恩斯 ;

A·维拉莫 ;

P·范米尔贝克 ;

J·罗伊格-吉塔特 ;

F·伯格曼 .

中国专利 :CN203690306U ,2014-07-02

[9]

半导体基板、半导体封装结构及形成半导体器件的方法 [P].

黄文宏 .

中国专利 :CN112164686A ,2021-01-01

[10]

半导体器件和半导体基板切分方法 [P].

小邑笃 ;

田村宗生 ;

杉浦和彦 ;

船户祐嗣 ;

丸山友美 ;

藤井哲夫 ;

河野宪司 .

中国专利 :CN100536108C ,2007-05-23

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