半导体器件、半导体基板、半导体基板的制造方法及半导体器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201280025380.3

申请日：

2012-06-11

公开(公告)号：

CN103548133A

公开(公告)日：

2014-01-29

发明(设计)人：

高田朋幸山田永秦雅彦高木信一前田辰郎卜部友二安田哲二

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L218238

IPC分类号：

H01L2102 H01L2128 H01L21336 H01L21762 H01L2708 H01L27092 H01L27095 H01L2712 H01L29417 H01L29786

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

李国华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

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共 50 条

[1]

半导体器件、半导体基板、半导体基板的制造方法及半导体器件的制造方法 [P].

秦雅彦 ;

山田永 ;

横山正史 ;

金相贤 ;

张睿 ;

竹中充 ;

高木信一 ;

安田哲二 .

中国专利 :CN103563069A ,2014-02-05

[2]

半导体器件、半导体基板、半导体基板的制造方法及半导体器件的制造方法 [P].

秦雅彦 ;

山田永 ;

横山正史 ;

金相贤 ;

竹中充 ;

高木信一 ;

安田哲二 .

中国专利 :CN103563068A ,2014-02-05

[3]

半导体基板、半导体器件及半导体基板的制造方法 [P].

山中贞则 ;

高田朋幸 ;

秦雅彦 .

中国专利 :CN102668029A ,2012-09-12

[4]

半导体基板、半导体器件及半导体基板的制造方法 [P].

高田朋幸 ;

山中贞则 .

中国专利 :CN102754189A ,2012-10-24

[5]

半导体基板、半导体基板的制造方法以及制造装置、半导体器件的制造方法 [P].

神川刚 ;

小林敏洋 ;

须田升 ;

小仓广之 ;

清田满成 .

日本专利 :CN120019476A ,2025-05-16

[6]

半导体基板、半导体基板的制造方法以及制造装置、半导体器件的制造方法 [P].

神川刚 ;

青木优太 ;

武内一真 ;

正木克明 ;

山下文雄 .

日本专利 :CN119998924A ,2025-05-13

[7]

半导体基板和半导体器件的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

田中幸一郎 .

中国专利 :CN101681807A ,2010-03-24

[8]

半导体基板、半导体基板的制造方法、和电子器件 [P].

市川磨 .

中国专利 :CN102369597A ,2012-03-07

[9]

半导体器件制造方法以及半导体安装基板 [P].

仓科守 ;

水谷大辅 .

中国专利 :CN104064514A ,2014-09-24

[10]

半导体器件及其制造方法和半导体基板 [P].

赤星年隆 .

中国专利 :CN101404270A ,2009-04-08

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-03-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101576173461 IPC(主分类):H01L 21/8238 专利申请号:2012800253803 申请日:20120611
2014-01-29	公开	公开
2018-07-10	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/8238 申请日:20120611 授权公告日:20151223 终止日期:20170611
2015-12-23	授权	授权