半导体基板的处理方法和半导体基板的处理装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201880008160.7

申请日：

2018-01-16

公开(公告)号：

CN110199379A

公开(公告)日：

2019-09-03

发明(设计)人：

清田健司福冈哲夫

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L21304

IPC分类号：

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277

代理人：

刘新宇

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-09-03	公开	公开
2019-11-22	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/304 申请日:20180116

共 50 条

[21]

用于处理半导体基板的方法、得到的半导体基板及其用途 [P].

吴坚 ;

姚铮 ;

王栩生 ;

蒋方丹 ;

邢国强 .

中国专利 :CN107369616B ,2017-11-21

[22]

半导体基板处理方法及半导体器件 [P].

李济婷 .

中国专利 :CN114023642A ,2022-02-08

[23]

半导体基板处理方法及半导体器件 [P].

李济婷 .

中国专利 :CN114023642B ,2025-02-07

[24]

半导体基板的热处理装置 [P].

王文军 ;

王晖 ;

陈福平 ;

方志友 .

中国专利 :CN105280518B ,2016-01-27

[25]

半导体基板处理设备和方法 [P].

A·恩古耶 ;

Y·S·维舍瓦纳斯 ;

X·常 .

中国专利 :CN110444490A ,2019-11-12

[26]

半导体基板的处理液、处理方法、使用这些的半导体基板产品的制造方法 [P].

上村哲也 ;

杉岛泰雄 ;

水谷笃史 .

中国专利 :CN105745739A ,2016-07-06

[27]

半导体基板的评价方法、评价用半导体基板、半导体装置 [P].

大槻刚 .

中国专利 :CN104303280A ,2015-01-21

[28]

半导体基板、半导体器件及半导体基板的制造方法 [P].

高田朋幸 ;

山中贞则 .

中国专利 :CN102754189A ,2012-10-24

[29]

半导体基板、半导体元件以及半导体基板的制造方法 [P].

仓又朗人 ;

渡边信也 ;

佐佐木公平 ;

八木邦明 ;

八田直记 ;

东胁正高 ;

小西敬太 .

中国专利 :CN110869543A ,2020-03-06

[30]

半导体基板、半导体器件及半导体基板的制造方法 [P].

山中贞则 ;

高田朋幸 ;

秦雅彦 .

中国专利 :CN102668029A ,2012-09-12

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