半导体基板的处理方法和半导体基板的处理装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201880008160.7

申请日：

2018-01-16

公开(公告)号：

CN110199379A

公开(公告)日：

2019-09-03

发明(设计)人：

清田健司福冈哲夫

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L21304

IPC分类号：

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277

代理人：

刘新宇

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-09-03	公开	公开
2019-11-22	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/304 申请日:20180116

共 50 条

[41]

半导体基板及半导体基板的制造方法 [P].

渡边幸宗 .

中国专利 :CN103219361B ,2013-07-24

[42]

半导体基板以及半导体基板的制造方法 [P].

神川刚 ;

须田升 ;

山下文雄 ;

青木优太 ;

清田满成 .

日本专利 :CN120958553A ,2025-11-14

[43]

半导体基板的制造方法及半导体基板 [P].

秦雅彦 ;

市川磨 ;

卜部友二 ;

宫田典幸 ;

前田辰郎 ;

安田哲二 .

中国专利 :CN103548126B ,2014-01-29

[44]

半导体基板的制造方法及半导体基板 [P].

二井谷美保 ;

若林大士 ;

山田健人 ;

吉田和彦 .

中国专利 :CN114586132A ,2022-06-03

[45]

基板处理装置、基板处理方法和半导体装置的制造方法 [P].

相宋史记 .

日本专利 :CN117747472A ,2024-03-22

[46]

微波处理半导体基板的设备和方法 [P].

迈克尔·W·斯托厄尔 ;

马耶德·A·福阿德 ;

拉尔夫·霍夫曼 ;

沃尔夫冈·R·阿德霍尔德 ;

斯蒂芬·莫法特 .

中国专利 :CN103460353B ,2013-12-18

[47]

处理被处理基板的半导体处理方法和装置 [P].

古屋治彦 ;

两角友一朗 ;

池川宽晃 ;

平山诚 ;

伊藤勇一 .

中国专利 :CN1701133A ,2005-11-23

[48]

半导体基板、半导体装置 [P].

木村龙一 .

中国专利 :CN203242661U ,2013-10-16

[49]

半导体基板的处理方法、半导体部件以及电子机器 [P].

松尾弘之 ;

宫崎邦浩 ;

中岛俊贵 .

中国专利 :CN1808697A ,2006-07-26

[50]

半导体基板及半导体装置、它们的制造方法、半导体基板的设计方法 [P].

金本启 .

中国专利 :CN1901207A ,2007-01-24

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