用于半导体化学气相沉积反应器的平铺式喷头

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510963868.6

申请日：

2015-12-21

公开(公告)号：

CN106609362A

公开(公告)日：

2017-05-03

发明(设计)人：

雷格·东克亚历山大·勒纳凯思德·索拉布吉 L·D·华盛顿安德瑞斯·海吉杜斯

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

C23C16455

IPC分类号：

代理机构：

北京安信方达知识产权代理有限公司 11262

代理人：

张瑞;郑霞

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-11-03	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 16/455 申请日:20151221
2017-05-03	公开	公开
2021-03-02	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):C23C 16/455 登记生效日:20210220 变更事项:专利权人变更前权利人:奥塔装置公司变更后权利人:紫石能源有限公司变更事项:地址变更前权利人:美国加利福尼亚州变更后权利人:北京市昌平区育知东路30号院1号楼6层3单元611
2020-12-01	授权	授权

共 50 条

[1]

一种用于半导体化学气相沉积的反应器 [P].

郭逃远 .

中国专利 :CN217479546U ,2022-09-23

[2]

化学气相沉积反应器 [P].

G.K.斯特劳赫 ;

D.布里恩 ;

M.道尔斯伯格 .

中国专利 :CN102612571A ,2012-07-25

[3]

化学气相沉积反应器 [P].

李森田 ;

优瑞·吉欧吉维奇·史瑞特 ;

优瑞·图马索维奇·瑞朋 ;

罗斯南·伊凡诺维奇·葛布诺夫 .

中国专利 :CN1854336A ,2006-11-01

[4]

化学气相沉积反应器 [P].

刘恒 .

中国专利 :CN101036215A ,2007-09-12

[5]

化学气相沉积反应器 [P].

迈克尔·J·贝卡尼 ;

弗兰克·J·卡姆帕纳勒 .

中国专利 :CN101802254B ,2010-08-11

[6]

反应器、化学气相沉积反应器以及有机金属化学气相沉积反应器 [P].

陈卫国 ;

陈京玉 .

中国专利 :CN102154624A ,2011-08-17

[7]

用于在化学气相沉积－反应器中沉积涂层的方法及用于化学气相沉积－反应器的进气装置 [P].

约翰尼斯·凯普勒 .

中国专利 :CN101313086A ,2008-11-26

[8]

用于化学气相沉积反应器的方法和设备 [P].

何甘 ;

雷格·东克 ;

凯思德·索拉布吉 ;

罗杰·哈曼吉 ;

安德瑞斯·海吉杜斯 ;

美利莎·艾契尔 ;

哈利·艾华特 ;

斯图尔特·索南费尔特 .

中国专利 :CN102084460A ,2011-06-01

[9]

化学气相沉积（CVD）反应器 [P].

J·温特 .

澳大利亚专利 :CN121002217A ,2025-11-21

[10]

一种矩形化学气相沉积反应器 [P].

左然 .

中国专利 :CN101701333A ,2010-05-05

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