用于半导体反应器的排气调节系统

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200480038767.8

申请日：

2004-12-23

公开(公告)号：

CN1898411A

公开(公告)日：

2007-01-17

发明(设计)人：

约翰·C·舒马赫

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

C23C1644

IPC分类号：

B01D4644

代理机构：

北京德琦知识产权代理有限公司

代理人：

罗正云;宋志强

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-03-14	实质审查的生效	实质审查的生效
2010-02-10	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回
2007-01-17	公开	公开

共 50 条

[1]

用于蚀刻半导体结构及用于调节处理反应器的方法 [P].

王刚 .

中国专利 :CN117480590A ,2024-01-30

[2]

加氢反应器的排气系统 [P].

阮宗琳 ;

杨秀娜 ;

金平 ;

王昊辰 .

中国专利 :CN208302734U ,2019-01-01

[3]

半导体沉积反应器歧管 [P].

D·南德瓦纳 ;

E·J·希罗 ;

C·L·怀特 ;

T·R·杜纳 ;

W·G·皮特罗 ;

J·L·温科 ;

A·奇塔莱 .

中国专利 :CN112695294A ,2021-04-23

[4]

半导体沉积反应器歧管 [P].

D·南德瓦纳 ;

E·J·希罗 ;

C·L·怀特 ;

T·R·杜纳 ;

W·G·皮特罗 ;

J·L·温科 ;

A·奇塔莱 .

:CN112695294B ,2025-02-18

[5]

半导体制作反应器 [P].

S·迪巴尔司 ;

中村修二 ;

麦克康特 ;

M·巴特雷斯 .

中国专利 :CN100471992C ,2005-03-16

[6]

用于半导体处理反应器的喷头电极设计 [P].

拉金德·丁德萨 ;

埃里克·兰兹 .

中国专利 :CN1663015A ,2005-08-31

[7]

用于半导体制造设备的反应器外壁 [P].

张显秀 ;

李政镐 ;

金永勋 .

中国专利 :CN303756005S ,2016-07-27

[8]

用于半导体制造的反应器及半导体制造装置 [P].

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN221254777U ,2024-07-02

[9]

用于半导体工艺件处理反应器的气体分布装置及其反应器 [P].

陈爱华 ;

王树林 ;

何乃明 ;

尹志尧 ;

吕青 ;

傅丽 .

中国专利 :CN100451163C ,2007-10-24

[10]

半导体沉积反应器环的主体 [P].

R·奈克 ;

苏俊威 ;

王文涛 ;

C·Q·周 ;

林兴 .

:CN308691120S ,2024-06-18

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