发光二极管封装结构

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201320876798.7

申请日：

2013-12-27

公开(公告)号：

CN203774369U

公开(公告)日：

2014-08-13

发明(设计)人：

陈燕章

申请人：

申请人地址：

518100 广东省深圳市宝安区西乡共和工业路宏鹏辉工业园A栋七楼东

IPC主分类号：

H01L3352

IPC分类号：

H01L3360

代理机构：

深圳市中联专利代理有限公司 44274

代理人：

李俊

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-02-09	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 33/52 申请日:20131227 授权公告日:20140813 终止日期:20161227
2014-08-13	授权	授权

共 50 条

[1]

多晶片发光二极管封装结构 [P].

陈燕章 .

中国专利 :CN203774322U ,2014-08-13

[2]

发光二极管封装结构 [P].

谢新贤 ;

黄田昊 ;

吴上义 ;

吴奕均 .

中国专利 :CN203192844U ,2013-09-11

[3]

发光二极管封装结构 [P].

许胜佳 ;

裴建昌 .

中国专利 :CN201153128Y ,2008-11-19

[4]

发光二极管封装结构 [P].

林贞秀 ;

吴嘉豪 .

中国专利 :CN104103747A ,2014-10-15

[5]

发光二极管封装结构 [P].

王冬雷 ;

丁欣 .

中国专利 :CN203250779U ,2013-10-23

[6]

发光二极管封装结构 [P].

彭天原 ;

张杰祥 ;

石海莲 ;

王红 ;

王蔚 ;

杨世健 ;

韩冬兰 .

中国专利 :CN206179896U ,2017-05-17

[7]

发光二极管封装结构 [P].

唐怀 .

中国专利 :CN202523751U ,2012-11-07

[8]

发光二极管封装结构 [P].

孙得皓 .

中国专利 :CN202268383U ,2012-06-06

[9]

发光二极管封装结构 [P].

林贞秀 ;

翁明堃 .

中国专利 :CN208655638U ,2019-03-26

[10]

发光二极管封装结构及发光二极管灯管 [P].

孙增保 ;

王智杰 .

中国专利 :CN203423214U ,2014-02-05

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