多晶片发光二极管封装结构

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201320876776.0

申请日：

2013-12-27

公开(公告)号：

CN203774322U

公开(公告)日：

2014-08-13

发明(设计)人：

陈燕章

申请人：

申请人地址：

518100 广东省深圳市宝安区西乡共和工业路宏鹏辉工业园A栋七楼东

IPC主分类号：

H01L25075

IPC分类号：

H01L3364 H01L3362

代理机构：

深圳市中联专利代理有限公司 44274

代理人：

李俊

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-08-13	授权	授权
2018-02-09	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 25/075 申请日:20131227 授权公告日:20140813 终止日期:20161227

共 50 条

[1]

发光二极管封装结构 [P].

陈燕章 .

中国专利 :CN203774369U ,2014-08-13

[2]

发光二极管封装结构 [P].

彭天原 ;

张杰祥 ;

石海莲 ;

王红 ;

王蔚 ;

杨世健 ;

韩冬兰 .

中国专利 :CN206179896U ,2017-05-17

[3]

发光二极管封装结构 [P].

谢新贤 ;

黄田昊 ;

吴上义 ;

吴奕均 .

中国专利 :CN203192844U ,2013-09-11

[4]

发光二极管封装结构 [P].

李乃义 .

中国专利 :CN205319184U ,2016-06-15

[5]

发光二极管封装结构 [P].

宋文洲 .

中国专利 :CN207558820U ,2018-06-29

[6]

发光二极管封装结构 [P].

潘绍榫 .

中国专利 :CN202564438U ,2012-11-28

[7]

发光二极管封装结构 [P].

黄苡叡 ;

林素慧 ;

林科闯 ;

陶青山 ;

吴俊毅 .

中国专利 :CN202616230U ,2012-12-19

[8]

发光二极管封装结构 [P].

许胜佳 ;

裴建昌 .

中国专利 :CN201153128Y ,2008-11-19

[9]

发光二极管封装结构 [P].

詹国光 .

中国专利 :CN201975422U ,2011-09-14

[10]

发光二极管封装结构 [P].

林贞秀 ;

吴嘉豪 .

中国专利 :CN104103747A ,2014-10-15

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