一种整流器芯片制作工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410315792.1

申请日：

2014-07-03

公开(公告)号：

CN104112651A

公开(公告)日：

2014-10-22

发明(设计)人：

王道强魏庆山

申请人：

申请人地址：

225116 江苏省扬州市槐泗镇弘扬东路45号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L21223

代理机构：

北京轻创知识产权代理有限公司 11212

代理人：

赵秀斌

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-10-22	公开	公开
2018-08-14	授权	授权
2015-05-06	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101608731652 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2014103157921 申请日:20140703

共 50 条

[1]

氧化镓整流器和制作工艺、氧化镓整流器结构和制作工艺 [P].

周选择 ;

刘琦 ;

徐光伟 ;

龙世兵 .

中国专利 :CN116344625B ,2025-12-16

[2]

一种分子整流器及其制作工艺 [P].

徐伟 ;

吕银祥 ;

张骅 ;

华中一 .

中国专利 :CN1140935C ,2002-03-27

[3]

一种GPP芯片电泳法制作工艺 [P].

张波 ;

宋委 .

中国专利 :CN106653600A ,2017-05-10

[4]

一种超低正向电压整流器芯片的制备方法 [P].

王道强 ;

魏庆山 .

中国专利 :CN107068561B ,2017-08-18

[5]

一种GPP芯片制作工艺 [P].

郝长清 ;

贾健 ;

陈宏胤 .

中国专利 :CN119486155A ,2025-02-18

[6]

一种整流器的制造工艺及整流器 [P].

李俊杰 ;

彭河鑫 ;

党文苗 .

中国专利 :CN115523029A ,2022-12-27

[7]

一种整流器的制造工艺及整流器 [P].

李俊杰 ;

彭河鑫 ;

党文苗 .

中国专利 :CN115523029B ,2024-12-10

[8]

一种半导体GPP整流芯片的制作工艺 [P].

郭光辉 .

中国专利 :CN108461381A ,2018-08-28

[9]

一种快恢复型芯片的制作工艺 [P].

王道强 ;

魏庆山 .

中国专利 :CN105977155A ,2016-09-28

[10]

一种整流器及其制作方法 [P].

周东飞 ;

钟圣荣 .

中国专利 :CN106935637A ,2017-07-07

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