低温多晶硅TFT基板结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510042168.3

申请日：

2015-01-27

公开(公告)号：

CN104617108B

公开(公告)日：

2015-05-13

发明(设计)人：

韩佰祥

申请人：

申请人地址：

518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9—2号

IPC主分类号：

H01L2712

IPC分类号：

代理机构：

深圳市德力知识产权代理事务所 44265

代理人：

林才桂

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-05-13	公开	公开
2017-06-27	授权	授权
2015-06-10	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101612423472 IPC(主分类):H01L 27/12 专利申请号:2015100421683 申请日:20150127

共 50 条

[1]

低温多晶硅TFT基板结构的制作方法及低温多晶硅TFT基板结构 [P].

张良芬 .

中国专利 :CN105097667A ,2015-11-25

[2]

低温多晶硅TFT基板 [P].

许勇 .

中国专利 :CN105336745A ,2016-02-17

[3]

低温多晶硅TFT基板的制作方法及低温多晶硅TFT基板 [P].

卢改平 .

中国专利 :CN105702622B ,2016-06-22

[4]

低温多晶硅TFT基板结构及其制作方法 [P].

张晓星 .

中国专利 :CN104701265A ,2015-06-10

[5]

低温多晶硅TFT基板结构及其制作方法 [P].

张晓星 .

中国专利 :CN104779199A ,2015-07-15

[6]

低温多晶硅TFT基板的制作方法及低温多晶硅TFT基板 [P].

李松杉 .

中国专利 :CN105097666A ,2015-11-25

[7]

低温多晶硅TFT基板的制作方法及低温多晶硅TFT基板 [P].

虞晓江 .

中国专利 :CN105679772B ,2016-06-15

[8]

低温多晶硅TFT基板的制作方法及低温多晶硅TFT基板 [P].

张占东 ;

汤富雄 .

中国专利 :CN105514035A ,2016-04-20

[9]

低温多晶硅薄膜的制作方法、低温多晶硅薄膜及低温多晶硅TFT基板 [P].

张瑞军 ;

卢马才 ;

王松 .

中国专利 :CN108831894A ,2018-11-16

[10]

低温多晶硅TFT基板及其制作方法 [P].

王涛 .

中国专利 :CN107046003B ,2017-08-15

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