一种高电阻率的复合衬底及其制备方法

被引：0

申请号：

CN202111627242.X

申请日：

2021-12-28

公开(公告)号：

CN114373711A

公开(公告)日：

2022-04-19

发明(设计)人：

杨超胡文李真宇孔霞刘亚明

申请人：

申请人地址：

250100 山东省济南市高新区港兴三路北段1号济南药谷研发平台1号楼B1806

IPC主分类号：

H01L21762

IPC分类号：

H01L2712

代理机构：

北京弘权知识产权代理有限公司 11363

代理人：

逯长明;许伟群

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-04-19	公开	公开
2022-05-06	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/762 申请日:20211228

共 50 条

[1]

一种高电阻率复合衬底、制备方法及电子元器件 [P].

杨超 ;

李真宇 ;

胡卉 ;

胡文 ;

孔霞 ;

刘亚明 .

中国专利 :CN114496733B ,2022-05-13

[2]

一种制备低电阻率衬底的方法 [P].

刘新科 ;

黄烨莹 ;

秦宏志 ;

张冠张 ;

黎晓华 ;

贺威 ;

朱德亮 .

中国专利 :CN117626208B ,2024-11-29

[3]

一种制备低电阻率衬底的方法 [P].

刘新科 ;

黄烨莹 ;

秦宏志 ;

张冠张 ;

黎晓华 ;

贺威 ;

朱德亮 .

中国专利 :CN117626208A ,2024-03-01

[4]

一种高电阻率CN薄膜的制备方法 [P].

彭寿 ;

沈洪雪 ;

金克武 ;

甘治平 ;

李刚 ;

姚婷婷 ;

杨勇 .

中国专利 :CN107475668A ,2017-12-15

[5]

一种高电阻率复合材料的制备方法 [P].

郭健 ;

郭小芳 ;

郭乃林 .

中国专利 :CN104087860B ,2014-10-08

[6]

高电阻率高锆砖及其制备方法 [P].

张红哲 ;

张艺锋 ;

闫建敏 .

中国专利 :CN117326864A ,2024-01-02

[7]

一种高电阻率复合永磁体及其制备方法 [P].

崔熙贵 ;

阴冠超 ;

崔承云 ;

王兴华 ;

夏传达 ;

方翠 ;

彭希超 .

中国专利 :CN105469918A ,2016-04-06

[8]

高电阻率高锆砖及其制备方法 [P].

张红哲 ;

张艺锋 ;

闫建敏 .

中国专利 :CN117326864B ,2024-04-12

[9]

形成用于复合衬底的高电阻率处理支撑体的方法 [P].

金永弼 ;

I·伯特兰 ;

C·维蒂祖 .

中国专利 :CN114556526A ,2022-05-27

[10]

形成用于复合衬底的高电阻率处理支撑体的方法 [P].

金永弼 ;

I·伯特兰 ;

C·维蒂祖 .

法国专利 :CN114556526B ,2025-07-11

← 1 2 3 4 5 →