形成用于复合衬底的高电阻率处理支撑体的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202080072021.8

申请日：

2020-11-25

公开(公告)号：

CN114556526B

公开(公告)日：

2025-07-11

发明(设计)人：

金永弼 I·伯特兰 C·维蒂祖

申请人：

索泰克公司

申请人地址：

法国伯尔宁

IPC主分类号：

H01L21/02

IPC分类号：

H01L21/322 H01L21/762

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司 11127

代理人：

王万影;王小东

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-07-11	授权	授权

共 50 条

[1]

形成用于复合衬底的高电阻率处理支撑体的方法 [P].

金永弼 ;

I·伯特兰 ;

C·维蒂祖 .

中国专利 :CN114556526A ,2022-05-27

[2]

高电阻率绝缘体上硅衬底及其形成方法 [P].

郑有宏 ;

吴政达 ;

江振豪 ;

亚历山大卡尔尼斯基 ;

杜友伦 ;

陈逸群 .

中国专利 :CN112490253A ,2021-03-12

[3]

高电阻率绝缘体上硅衬底及其形成方法 [P].

郑有宏 ;

吴政达 ;

江振豪 ;

亚历山大卡尔尼斯基 ;

杜友伦 ;

陈逸群 .

中国专利 :CN112490253B ,2025-04-08

[4]

一种高电阻率的复合衬底及其制备方法 [P].

杨超 ;

胡文 ;

李真宇 ;

孔霞 ;

刘亚明 .

中国专利 :CN114373711A ,2022-04-19

[5]

用于形成低电阻率接触的方法 [P].

吕疆 ;

吴立其 ;

窦伟 ;

叶伟峰 ;

陈世忠 ;

汪荣军 ;

唐先敏 ;

万一扬 ;

张书锚 ;

郭涧秋 .

美国专利 :CN119768908A ,2025-04-04

[6]

制造高电阻率半导体衬底的工艺 [P].

C·马拉坎 ;

L·埃卡尔诺 ;

D·帕里西 .

中国专利 :CN107437526A ,2017-12-05

[7]

用于形成低电阻率钨特征的方法 [P].

王珮琪 ;

程诚 ;

吴凯 ;

河仁守 ;

李相进 .

美国专利 :CN118140301A ,2024-06-04

[8]

低电阻率的基于多晶体的衬底或晶片 [P].

B·马格努松林德格 ;

C·里瓦 .

中国专利 :CN118727155A ,2024-10-01

[9]

高电阻率的磁体的制备方法 [P].

王帅 ;

孙珊珊 ;

杜飞 ;

钮萼 ;

陈治安 ;

王湛 ;

饶晓雷 ;

胡伯平 .

中国专利 :CN113130196B ,2021-07-16

[10]

具有增强电荷俘获效率的高电阻率绝缘体上硅衬底 [P].

王刚 ;

J·L·利贝特 ;

S·G·托马斯 ;

刘庆旻 .

中国专利 :CN110178211B ,2019-08-27

← 1 2 3 4 5 →