高电阻率绝缘体上硅衬底及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010946568.8

申请日：

2020-09-10

公开(公告)号：

CN112490253B

公开(公告)日：

2025-04-08

发明(设计)人：

郑有宏吴政达江振豪亚历山大卡尔尼斯基杜友伦陈逸群

申请人：

台湾积体电路制造股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号

IPC主分类号：

H10D86/00

IPC分类号：

H01L21/762

代理机构：

南京正联知识产权代理有限公司 32243

代理人：

王素琴

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-08	授权	授权
2025-05-23	专利权期限的补偿	专利权期限补偿IPC(主分类):H10D 86/00申请日:20200910授权公告日:20250408原专利权期满终止日:20400910现专利权期满终止日:20410408

共 50 条

[1]

高电阻率绝缘体上硅衬底及其形成方法 [P].

郑有宏 ;

吴政达 ;

江振豪 ;

亚历山大卡尔尼斯基 ;

杜友伦 ;

陈逸群 .

中国专利 :CN112490253A ,2021-03-12

[2]

高电阻率绝缘体上硅结构及其制造方法 [P].

J·L·利贝特 ;

刘庆旻 ;

王刚 ;

A·M·琼斯 .

中国专利 :CN110352484B ,2019-10-18

[3]

绝缘体上硅衬底和形成方法 [P].

A·B·博图拉 ;

M·D·贾菲 ;

A·J·约瑟夫 ;

K·F·麦卡维 ;

G·普非伊费尔 ;

R·A·费尔普斯 .

中国专利 :CN103247566A ,2013-08-14

[4]

具有增强电荷俘获效率的高电阻率绝缘体上硅衬底 [P].

王刚 ;

J·L·利贝特 ;

S·G·托马斯 ;

刘庆旻 .

中国专利 :CN110178211B ,2019-08-27

[5]

高电阻率绝缘体上半导体衬底及其制造方法和半导体器件 [P].

比什-因·阮 ;

弗雷德里克·阿利伯特 ;

克里斯托夫·马勒维尔 .

中国专利 :CN106257641B ,2016-12-28

[6]

绝缘体上硅射频器件及其绝缘体上硅衬底 [P].

李乐 .

中国专利 :CN103035654B ,2013-04-10

[7]

形成绝缘体上硅衬底的方法 [P].

艾力克斯·乌先科 .

中国专利 :CN109616440A ,2019-04-12

[8]

绝缘体上硅衬底、半导体装置及其制造方法 [P].

吴政达 ;

曾国华 ;

王志豪 ;

杜友伦 ;

喻中一 .

中国专利 :CN109727907A ,2019-05-07

[9]

绝缘体上硅射频器件及绝缘体上硅衬底 [P].

李乐 ;

许丹 .

中国专利 :CN103022054A ,2013-04-03

[10]

具有多孔硅衬底的绝缘体上硅 [P].

S·A·法内利 ;

R·哈蒙德 .

中国专利 :CN110800088A ,2020-02-14

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