绝缘体上硅衬底、半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811278765.6

申请日：

2018-10-30

公开(公告)号：

CN109727907A

公开(公告)日：

2019-05-07

发明(设计)人：

吴政达曾国华王志豪杜友伦喻中一

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市新竹科学工业园力行六路8号

IPC主分类号：

H01L21762

IPC分类号：

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287

代理人：

蒋林清

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-07-27	授权	授权
2019-05-31	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/762 申请日:20181030
2019-05-07	公开	公开

共 50 条

[1]

制造绝缘体上硅衬底和半导体器件的方法 [P].

神保安弘 ;

小路博信 ;

大沼英人 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN101663733A ,2010-03-03

[2]

绝缘体上硅半导体结构及其制造方法 [P].

张龙 ;

何乃龙 ;

李浩宇 ;

吴佳怡 ;

盘成务 ;

张森 ;

刘斯扬 ;

孙伟锋 .

中国专利 :CN120882054A ,2025-10-31

[3]

“绝缘体上的硅”半导体装置及其制造方法 [P].

东贤一 ;

A·O·阿丹 .

中国专利 :CN1147003C ,1999-12-01

[4]

制造绝缘体上应变半导体衬底的方法 [P].

斯蒂芬·贝戴尔 ;

盖伊·科恩 ;

陈华杰 .

中国专利 :CN1890781A ,2007-01-03

[5]

绝缘体上硅器件及其制造方法 [P].

金容铎 ;

张太洙 .

中国专利 :CN101488522A ,2009-07-22

[6]

具有绝缘体上硅区域和体区域的半导体装置及其制造方法 [P].

东笃志 ;

幸山裕亮 ;

梅泽华织 .

中国专利 :CN1307727C ,2004-06-16

[7]

绝缘体上硅结构及其制造方法、半导体器件 [P].

李乐 .

中国专利 :CN102315154A ,2012-01-11

[8]

半导体装置和“绝缘体上的半导体”衬底 [P].

国清辰也 .

中国专利 :CN1303697C ,2002-03-20

[9]

绝缘体上硅衬底和半导体集成电路器件 [P].

大窪宏明 ;

富留宫正之 ;

山本良太 ;

中柴康隆 .

中国专利 :CN1521840A ,2004-08-18

[10]

体约束的绝缘体上硅半导体器件及其制造方法 [P].

拜扬·W·民 ;

迈克尔·A·门迪奇诺 ;

莱格·康 .

中国专利 :CN101147262A ,2008-03-19

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