制造绝缘体上应变半导体衬底的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200480035903.8

申请日：

2004-12-01

公开(公告)号：

CN1890781A

公开(公告)日：

2007-01-03

发明(设计)人：

斯蒂芬·贝戴尔盖伊·科恩陈华杰

申请人：

申请人地址：

美国纽约

IPC主分类号：

H01L2120

IPC分类号：

H01L21762

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

王永刚

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-06-24	授权	授权
2019-11-15	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/20 申请日:20041201 授权公告日:20090624 终止日期:20181201
2007-02-28	实质审查的生效	实质审查的生效
2007-01-03	公开	公开

共 50 条

[1]

制造应变绝缘体上半导体衬底的方法 [P].

沃尔特·施瓦岑贝格 ;

G·夏巴纳 ;

尼古拉斯·达瓦尔 .

中国专利 :CN109155278A ,2019-01-04

[2]

制造应变绝缘体上半导体衬底的方法 [P].

沃尔特·施瓦岑贝格 ;

G·夏巴纳 ;

尼古拉斯·达瓦尔 .

中国专利 :CN109155277A ,2019-01-04

[3]

绝缘体上硅衬底、半导体装置及其制造方法 [P].

吴政达 ;

曾国华 ;

王志豪 ;

杜友伦 ;

喻中一 .

中国专利 :CN109727907A ,2019-05-07

[4]

制造绝缘体上硅衬底和半导体器件的方法 [P].

神保安弘 ;

小路博信 ;

大沼英人 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN101663733A ,2010-03-03

[5]

绝缘体上半导体衬底及其制造方法 [P].

薛广杰 .

中国专利 :CN115188704B ,2024-11-12

[6]

应变绝缘体上半导体结构以及应变绝缘体上半导体结构的制造方法 [P].

K·P·加德卡尔 ;

M·J·德杰纳卡 ;

L·R·平克尼 ;

B·G·艾特肯 .

中国专利 :CN101044620A ,2007-09-26

[7]

用于制造绝缘体上半导体衬底的方法 [P].

M·波卡特 ;

阿诺德·卡斯泰 .

中国专利 :CN113597668A ,2021-11-02

[8]

应变绝缘体上半导体材料的制造方法 [P].

德温德拉·K.·萨达纳 ;

乔尔·P.·德索扎 ;

斯蒂芬·W.·贝戴尔 ;

亚历山大·雷茨尼采克 ;

基思·爱德华·弗格尔 ;

格哈瓦姆·G.·莎赫迪 ;

托马斯·N.·亚当 .

中国专利 :CN101000884B ,2007-07-18

[9]

用于制造绝缘体上半导体衬底的方法 [P].

M·波卡特 ;

阿诺德·卡斯泰 .

法国专利 :CN113597668B ,2024-09-13

[10]

半导体装置和“绝缘体上的半导体”衬底 [P].

国清辰也 .

中国专利 :CN1303697C ,2002-03-20

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