制造应变绝缘体上半导体衬底的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201780029897.2

申请日：

2017-05-17

公开(公告)号：

CN109155277A

公开(公告)日：

2019-01-04

发明(设计)人：

沃尔特·施瓦岑贝格 G·夏巴纳尼古拉斯·达瓦尔

申请人：

申请人地址：

法国伯尔宁

IPC主分类号：

H01L21762

IPC分类号：

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司 11127

代理人：

宋珂;庞东成

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-01-29	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/762 申请日:20170517
2019-01-04	公开	公开

共 50 条

[1]

制造应变绝缘体上半导体衬底的方法 [P].

沃尔特·施瓦岑贝格 ;

G·夏巴纳 ;

尼古拉斯·达瓦尔 .

中国专利 :CN109155278A ,2019-01-04

[2]

应变绝缘体上半导体结构以及应变绝缘体上半导体结构的制造方法 [P].

K·P·加德卡尔 ;

M·J·德杰纳卡 ;

L·R·平克尼 ;

B·G·艾特肯 .

中国专利 :CN101044620A ,2007-09-26

[3]

绝缘体上半导体衬底及其制造方法 [P].

薛广杰 .

中国专利 :CN115188704B ,2024-11-12

[4]

用于制造绝缘体上半导体衬底的方法 [P].

M·波卡特 ;

阿诺德·卡斯泰 .

中国专利 :CN113597668A ,2021-11-02

[5]

应变绝缘体上半导体材料的制造方法 [P].

德温德拉·K.·萨达纳 ;

乔尔·P.·德索扎 ;

斯蒂芬·W.·贝戴尔 ;

亚历山大·雷茨尼采克 ;

基思·爱德华·弗格尔 ;

格哈瓦姆·G.·莎赫迪 ;

托马斯·N.·亚当 .

中国专利 :CN101000884B ,2007-07-18

[6]

用于制造绝缘体上半导体衬底的方法 [P].

M·波卡特 ;

阿诺德·卡斯泰 .

法国专利 :CN113597668B ,2024-09-13

[7]

制造绝缘体上半导体型衬底的方法 [P].

C·马勒维尔 .

中国专利 :CN101933132A ,2010-12-29

[8]

形成绝缘体上半导体衬底的方法 [P].

陈祈铭 ;

陈逸群 ;

蔡嘉雄 .

中国专利 :CN115497868A ,2022-12-20

[9]

制造绝缘体上应变半导体衬底的方法 [P].

斯蒂芬·贝戴尔 ;

盖伊·科恩 ;

陈华杰 .

中国专利 :CN1890781A ,2007-01-03

[10]

用于形成绝缘体上半导体衬底的方法 [P].

郑有宏 ;

李静宜 ;

蔡嘉雄 .

中国专利 :CN115565932A ,2023-01-03

← 1 2 3 4 5 →