绝缘体上硅结构及其制造方法、半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110296304.3

申请日：

2011-09-30

公开(公告)号：

CN102315154A

公开(公告)日：

2012-01-11

发明(设计)人：

李乐

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号

IPC主分类号：

H01L21762

IPC分类号：

H01L2712

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

郑玮

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-06-04	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101701408899 IPC(主分类):H01L 21/762 专利申请号:2011102963043 变更事项:申请人变更前权利人:上海宏力半导体制造有限公司变更后权利人:上海华虹宏力半导体制造有限公司变更事项:地址变更前权利人:201203 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号登记生效日:20140507
2014-05-21	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101582309304 IPC(主分类):H01L 21/762 专利申请号:2011102963043 申请日:20110930
2012-01-11	公开	公开
2017-06-06	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101752699448 IPC(主分类):H01L 21/762 专利申请号:2011102963043 申请公布日:20120111

共 50 条

[1]

绝缘体上硅结构以及半导体器件结构 [P].

李乐 .

中国专利 :CN102945851A ,2013-02-27

[2]

绝缘体上硅半导体结构及其制造方法 [P].

张龙 ;

何乃龙 ;

李浩宇 ;

吴佳怡 ;

盘成务 ;

张森 ;

刘斯扬 ;

孙伟锋 .

中国专利 :CN120882054A ,2025-10-31

[3]

半绝缘体上硅半导体器件及其制造方法 [P].

刘金华 .

中国专利 :CN102820320A ,2012-12-12

[4]

阱注入方法、绝缘体上硅器件制造方法和绝缘体上硅器件 [P].

李乐 .

中国专利 :CN102737968A ,2012-10-17

[5]

制造绝缘体上的硅结构的半导体器件的方法 [P].

李泰福 .

中国专利 :CN1095860A ,1994-11-30

[6]

具有绝缘体上硅结构的半导体器件及其制造方法 [P].

小林研也 .

中国专利 :CN1207768C ,2002-05-01

[7]

绝缘体上硅器件及其制造方法 [P].

金甫娟 .

中国专利 :CN101577292A ,2009-11-11

[8]

绝缘体上硅器件及其制造方法 [P].

金容铎 ;

张太洙 .

中国专利 :CN101488522A ,2009-07-22

[9]

部分耗尽绝缘体上硅半导体器件及其制造方法 [P].

何正临 ;

郭振强 .

中国专利 :CN119364802A ,2025-01-24

[10]

体约束的绝缘体上硅半导体器件及其制造方法 [P].

拜扬·W·民 ;

迈克尔·A·门迪奇诺 ;

莱格·康 .

中国专利 :CN101147262A ,2008-03-19

← 1 2 3 4 5 →