部分耗尽绝缘体上硅半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411317164.7

申请日：

2024-09-20

公开(公告)号：

CN119364802A

公开(公告)日：

2025-01-24

发明(设计)人：

何正临郭振强

申请人：

华虹半导体（无锡）有限公司

申请人地址：

214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号

IPC主分类号：

H10D30/60

IPC分类号：

H10D62/10 H10D30/01

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

赵薇

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

江苏省无锡市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-02-18	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/60申请日:20240920
2025-01-24	公开	公开

共 50 条

[1]

部分耗尽绝缘体上硅器件结构 [P].

刘张李 .

中国专利 :CN103441131A ,2013-12-11

[2]

体约束的绝缘体上硅半导体器件及其制造方法 [P].

拜扬·W·民 ;

迈克尔·A·门迪奇诺 ;

莱格·康 .

中国专利 :CN101147262A ,2008-03-19

[3]

半绝缘体上硅半导体器件及其制造方法 [P].

刘金华 .

中国专利 :CN102820320A ,2012-12-12

[4]

绝缘体上硅结构及其制造方法、半导体器件 [P].

李乐 .

中国专利 :CN102315154A ,2012-01-11

[5]

具有绝缘体上硅结构的半导体器件及其制造方法 [P].

小林研也 .

中国专利 :CN1207768C ,2002-05-01

[6]

制造绝缘体上硅衬底和半导体器件的方法 [P].

神保安弘 ;

小路博信 ;

大沼英人 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN101663733A ,2010-03-03

[7]

绝缘体上硅半导体结构及其制造方法 [P].

张龙 ;

何乃龙 ;

李浩宇 ;

吴佳怡 ;

盘成务 ;

张森 ;

刘斯扬 ;

孙伟锋 .

中国专利 :CN120882054A ,2025-10-31

[8]

绝缘体上硅器件及其制造方法 [P].

迪斯尼·R·唐纳德 .

中国专利 :CN102163574B ,2011-08-24

[9]

绝缘体上硅器件及其制造方法 [P].

金容铎 ;

张太洙 .

中国专利 :CN101488522A ,2009-07-22

[10]

在绝缘体半导体器件上的半导体及其制造方法 [P].

R·叙尔迪努 ;

G·多恩波斯 ;

Y·波诺马雷夫 ;

J·罗 .

中国专利 :CN1969391A ,2007-05-23

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