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在绝缘体半导体器件上的半导体及其制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN200580019318.3
申请日：
2005-06-06
公开(公告)号：
CN1969391A
公开(公告)日：
2007-05-23
发明(设计)人：
R·叙尔迪努
G·多恩波斯
Y·波诺马雷夫
J·罗
申请人：
申请人地址：
荷兰艾恩德霍芬
IPC主分类号：
H01L29786
IPC分类号：
H01L29417
H01L21336
H01L2945
代理机构：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人：
王庆海;梁永
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2007-08-15 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 |
| 2010-10-06 | 授权 | 授权 |
| 2007-08-15 | 专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移 | 专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移 变更事项:申请人 变更前权利人:皇家飞利浦电子股份有限公司 变更后权利人:NXP股份有限公司 变更事项:地址 变更前权利人:荷兰艾恩德霍芬 变更后权利人:荷兰艾恩德霍芬 登记生效日:20070706 |
| 2012-05-02 | 专利申请权、专利权的转移 | 专利权的转移 号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101345929346 IPC(主分类):H01L 29/786 专利号:ZL2005800193183 变更事项:专利权人 变更前权利人:NXP股份有限公司 变更后权利人:IMEC公司 变更事项:地址 变更前权利人:荷兰艾恩德霍芬 变更后权利人:比利时勒芬 登记生效日:20120327 |
| 2007-05-23 | 公开 | 公开 |