金属绝缘体半导体类型的半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN98115960.5

申请日：

1994-01-18

公开(公告)号：

CN1156016C

公开(公告)日：

1999-06-16

发明(设计)人：

山崎舜平竹村保彦

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L29786 H01L21336

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

叶恺东;王岳

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2004-06-30	授权	授权
2014-03-12	专利权的终止	专利权有效期届满号牌文件类型代码:1611 号牌文件序号:101575524027 IPC(主分类):H01L 29/78 专利号:ZL981159605 申请日:19940118 授权公告日:20040630 期满终止日期:20140118
1999-05-19	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
1999-06-16	公开	公开

共 50 条

[1]

金属-绝缘体-半导体器件的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

竹村保彦 .

中国专利 :CN100570835C ,2007-02-21

[2]

在绝缘体半导体器件上的半导体及其制造方法 [P].

R·叙尔迪努 ;

G·多恩波斯 ;

Y·波诺马雷夫 ;

J·罗 .

中国专利 :CN1969391A ,2007-05-23

[3]

绝缘体上半导体器件及其制造方法 [P].

胡金节 .

中国专利 :CN111146278B ,2020-05-12

[4]

半导体器件、金属-绝缘体-金属电容及其制造方法 [P].

周谨 .

中国专利 :CN101533767A ,2009-09-16

[5]

稳定绝缘体基半导体器件的方法及绝缘体基半导体器件 [P].

新美宪一 ;

A·O·阿丹 .

中国专利 :CN1154191C ,2000-12-06

[6]

绝缘体上半导体元器件及其制造方法 [P].

陈晓亮 ;

于绍欣 ;

陈天 ;

钱忠健 ;

金兴成 .

中国专利 :CN111009469A ,2020-04-14

[7]

高电阻率绝缘体上半导体衬底及其制造方法和半导体器件 [P].

比什-因·阮 ;

弗雷德里克·阿利伯特 ;

克里斯托夫·马勒维尔 .

中国专利 :CN106257641B ,2016-12-28

[8]

金属-绝缘体-金属半导体器件的下电极的制备方法 [P].

赵波 ;

刘玮荪 .

中国专利 :CN102157356B ,2011-08-17

[9]

具有绝缘体上硅结构的半导体器件及其制造方法 [P].

小林研也 .

中国专利 :CN1207768C ,2002-05-01

[10]

半绝缘体上硅半导体器件及其制造方法 [P].

刘金华 .

中国专利 :CN102820320A ,2012-12-12

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