半导体器件、金属-绝缘体-金属电容及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810187733.5

申请日：

2008-12-31

公开(公告)号：

CN101533767A

公开(公告)日：

2009-09-16

发明(设计)人：

周谨

申请人：

申请人地址：

215300江苏省昆山市开发区伟业路18号现代广场A座508-511室

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L21768 H01L2704 H01L27146 H01L23522 H01L2992

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

李丽

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-09-16	公开	公开
2020-05-08	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 21/02 变更事项:专利权人变更前:昆山锐芯微电子有限公司变更后:锐芯微电子股份有限公司变更事项:地址变更前:215300 江苏省昆山市开发区伟业路18号现代广场A座508-511室变更后:215300 江苏省苏州市昆山开发区伟业路18号现代广场A座508-511室
2009-11-11	实质审查的生效	实质审查的生效
2013-07-31	授权	授权

共 50 条

[1]

金属-绝缘体-金属电容器及其制造方法 [P].

王媛 ;

张步新 .

中国专利 :CN101819922A ,2010-09-01

[2]

金属-绝缘体-金属电容及其形成方法 [P].

黄冲 ;

李志国 ;

董碧云 .

中国专利 :CN105514092A ,2016-04-20

[3]

金属-绝缘体-金属电容及其形成方法 [P].

赵子君 ;

胡明宇 ;

张杨 ;

李亮 .

中国专利 :CN118943128B ,2025-01-28

[4]

金属-绝缘体-金属电容及其形成方法 [P].

赵子君 ;

胡明宇 ;

张杨 ;

李亮 .

中国专利 :CN118943128A ,2024-11-12

[5]

金属-绝缘体-半导体器件的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

竹村保彦 .

中国专利 :CN100570835C ,2007-02-21

[6]

金属-绝缘体-金属电容结构及其制造方法 [P].

张步新 ;

王媛 .

中国专利 :CN101789429B ,2010-07-28

[7]

CMOS器件上的金属-绝缘体-金属电容的制造方法 [P].

俞波 ;

吴泽宇 .

中国专利 :CN100359689C ,2006-02-15

[8]

具有金属－绝缘体－金属电容的半导体器件 [P].

西村武史 ;

岩田直高 .

中国专利 :CN1208964A ,1999-02-24

[9]

包括金属－绝缘体－金属电容器排列的半导体器件 [P].

富留宫正之 ;

菊田邦子 ;

山本良太 ;

中山诚 .

中国专利 :CN100420010C ,2006-05-31

[10]

金属－绝缘体－金属电容器及其制造方法 [P].

宁先捷 .

中国专利 :CN101295633A ,2008-10-29

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