金属-绝缘体-金属电容及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411427425.0

申请日：

2024-10-14

公开(公告)号：

CN118943128B

公开(公告)日：

2025-01-28

发明(设计)人：

赵子君胡明宇张杨李亮

申请人：

杭州积海半导体有限公司

申请人地址：

310020 浙江省杭州市钱塘新区义蓬街道江东大道3899号709-7号

IPC主分类号：

H01L23/64

IPC分类号：

H10N97/00

代理机构：

上海汉之律师事务所 31378

代理人：

林安安

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-11-12	公开	公开
2024-11-29	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 23/64申请日:20241014
2025-01-28	授权	授权

共 50 条

[1]

金属-绝缘体-金属电容及其形成方法 [P].

赵子君 ;

胡明宇 ;

张杨 ;

李亮 .

中国专利 :CN118943128A ,2024-11-12

[2]

金属-绝缘体-金属电容及其形成方法 [P].

黄冲 ;

李志国 ;

董碧云 .

中国专利 :CN105514092A ,2016-04-20

[3]

金属-绝缘体-金属电容器及其形成方法 [P].

林杏莲 ;

吴启明 ;

蔡嘉雄 ;

喻中一 ;

朱瑞霖 .

中国专利 :CN112542544B ,2024-09-24

[4]

金属-绝缘体-金属电容器及其形成方法 [P].

林杏莲 ;

吴启明 ;

蔡嘉雄 ;

喻中一 ;

朱瑞霖 .

中国专利 :CN112542544A ,2021-03-23

[5]

金属-绝缘体-金属电容器及其形成方法 [P].

赖柏嘉 ;

李俊彦 ;

斯帝芬·鲁苏 .

中国专利 :CN114695661A ,2022-07-01

[6]

金属-绝缘体-金属电容结构 [P].

侯泰成 ;

林大钧 ;

蔡滨祥 ;

蔡馥郁 ;

萧雅茵 ;

苏柏青 ;

李一凡 ;

侯冠志 ;

王裕夫 ;

陈俤彬 ;

吴志强 ;

王尧展 .

中国专利 :CN120184154A ,2025-06-20

[7]

金属-绝缘体-金属器件及其形成方法 [P].

施启元 ;

张凯峯 ;

黄士芬 ;

廖彦杰 .

中国专利 :CN112331770A ,2021-02-05

[8]

金属-绝缘体-金属器件及其形成方法 [P].

施启元 ;

张凯峯 ;

黄士芬 ;

廖彦杰 .

中国专利 :CN112331770B ,2025-04-11

[9]

半导体器件、金属-绝缘体-金属电容及其制造方法 [P].

周谨 .

中国专利 :CN101533767A ,2009-09-16

[10]

金属-绝缘体-金属（MIM）电容器结构及其形成方法 [P].

梁虔硕 ;

戴志和 ;

黄敬泓 ;

何盈苍 ;

江柏融 .

中国专利 :CN104733431B ,2015-06-24

← 1 2 3 4 5 →