金属-绝缘体-金属电容器及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010265592.5

申请日：

2020-04-07

公开(公告)号：

CN112542544A

公开(公告)日：

2021-03-23

发明(设计)人：

林杏莲吴启明蔡嘉雄喻中一朱瑞霖

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L4902

IPC分类号：

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-04-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 49/02 申请日:20200407
2021-03-23	公开	公开

共 50 条

[1]

金属-绝缘体-金属电容器及其形成方法 [P].

林杏莲 ;

吴启明 ;

蔡嘉雄 ;

喻中一 ;

朱瑞霖 .

中国专利 :CN112542544B ,2024-09-24

[2]

金属-绝缘体-金属（MIM）电容器结构及其形成方法 [P].

梁虔硕 ;

戴志和 ;

黄敬泓 ;

何盈苍 ;

江柏融 .

中国专利 :CN104733431B ,2015-06-24

[3]

金属-绝缘体-金属电容器及其形成方法 [P].

赖柏嘉 ;

李俊彦 ;

斯帝芬·鲁苏 .

中国专利 :CN114695661A ,2022-07-01

[4]

金属-绝缘体-金属(MIM)电容器和形成方法 [P].

谢静佩 ;

徐晨祐 ;

刘世昌 .

中国专利 :CN105826166B ,2016-08-03

[5]

金属-绝缘体-金属电容器形成技术 [P].

M·J·科布林斯基 ;

R·L·布里斯托尔 ;

M·C·梅伯里 .

中国专利 :CN104885211A ,2015-09-02

[6]

金属-绝缘体-金属电容器结构及形成方法 [P].

张志敏 ;

陈献龙 .

中国专利 :CN114038832B ,2022-02-11

[7]

金属-绝缘体-金属电容器及其制造方法 [P].

王媛 ;

张步新 .

中国专利 :CN101819922A ,2010-09-01

[8]

金属-绝缘体-金属电容器及其形成方法及其中形成介电层的方法 [P].

崔在亨 ;

郑正喜 ;

金晟泰 ;

柳次英 ;

金基哲 ;

吴世勋 ;

崔正植 .

中国专利 :CN1722379B ,2006-01-18

[9]

金属-绝缘体-金属电容器及其制造方法 [P].

姜明一 .

中国专利 :CN101378057B ,2009-03-04

[10]

图像传感器、金属-绝缘体-金属电容器及其形成方法 [P].

杰弗里·P·甘比诺 ;

查德拉塞卡兰·科桑达拉曼 ;

文森·詹姆斯·麦加赫 .

美国专利 :CN120897466A ,2025-11-04

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