图像传感器、金属-绝缘体-金属电容器及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410946117.2

申请日：

2024-07-15

公开(公告)号：

CN120897466A

公开(公告)日：

2025-11-04

发明(设计)人：

杰弗里·P·甘比诺查德拉塞卡兰·科桑达拉曼文森·詹姆斯·麦加赫

申请人：

半导体元件工业有限责任公司

申请人地址：

美国亚利桑那州

IPC主分类号：

H10D1/68

IPC分类号：

H01L23/64 H10F39/18 H04N25/76 B60R1/23 B60R1/24 B60R1/26 B60R1/29 B60R11/04 B60R11/00

代理机构：

北京派特恩知识产权代理有限公司 11270

代理人：

王娜丽;姚开丽

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-04	公开	公开

共 50 条

[1]

金属-绝缘体-金属电容器及其形成方法 [P].

赖柏嘉 ;

李俊彦 ;

斯帝芬·鲁苏 .

中国专利 :CN114695661A ,2022-07-01

[2]

金属-绝缘体-金属电容器及其形成方法 [P].

林杏莲 ;

吴启明 ;

蔡嘉雄 ;

喻中一 ;

朱瑞霖 .

中国专利 :CN112542544B ,2024-09-24

[3]

金属-绝缘体-金属电容器及其形成方法 [P].

林杏莲 ;

吴启明 ;

蔡嘉雄 ;

喻中一 ;

朱瑞霖 .

中国专利 :CN112542544A ,2021-03-23

[4]

图像传感器的金属-绝缘体-金属电容器结构及其制造方法 [P].

韩昌勋 .

韩国专利 :CN121078737A ,2025-12-05

[5]

金属-绝缘体-金属(MIM)电容器和形成方法 [P].

谢静佩 ;

徐晨祐 ;

刘世昌 .

中国专利 :CN105826166B ,2016-08-03

[6]

金属-绝缘体-金属电容器形成技术 [P].

M·J·科布林斯基 ;

R·L·布里斯托尔 ;

M·C·梅伯里 .

中国专利 :CN104885211A ,2015-09-02

[7]

金属-绝缘体-金属（MIM）电容器结构及其形成方法 [P].

梁虔硕 ;

戴志和 ;

黄敬泓 ;

何盈苍 ;

江柏融 .

中国专利 :CN104733431B ,2015-06-24

[8]

金属-绝缘体-金属电容器及其制造方法 [P].

王媛 ;

张步新 .

中国专利 :CN101819922A ,2010-09-01

[9]

金属-绝缘体-金属电容器 [P].

S·陈 ;

J·T·瓦特 ;

M·C·赤安 .

中国专利 :CN102217068A ,2011-10-12

[10]

金属-绝缘体-金属电容器结构及形成方法 [P].

张志敏 ;

陈献龙 .

中国专利 :CN114038832B ,2022-02-11

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