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金属-绝缘体-金属电容器结构及形成方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202210012721.9
申请日
:
2022-01-07
公开(公告)号
:
CN114038832B
公开(公告)日
:
2022-02-11
发明(设计)人
:
张志敏
陈献龙
申请人
:
申请人地址
:
510000 广东省广州市黄埔区中新广州知识城凤凰五路28号
IPC主分类号
:
H01L23522
IPC分类号
:
H01L21768
H01L4902
代理机构
:
上海思捷知识产权代理有限公司 31295
代理人
:
冯启正
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2022-02-11
公开
公开
2022-03-01
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/522 申请日:20220107
2022-04-05
授权
授权
共 50 条
[1]
形成电容器结构的方法和金属-绝缘体-金属电容器结构
[P].
曾宣翰
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曾宣翰
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陈春元
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陈春元
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周禄盛
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周禄盛
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曾晓晖
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曾晓晖
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施俊吉
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施俊吉
.
中国专利
:CN114530555A
,2022-05-24
[2]
金属-绝缘体-金属(MIM)电容器结构及其形成方法
[P].
梁虔硕
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梁虔硕
;
戴志和
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戴志和
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黄敬泓
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黄敬泓
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何盈苍
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何盈苍
;
江柏融
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江柏融
.
中国专利
:CN104733431B
,2015-06-24
[3]
金属-绝缘体-金属电容器结构
[P].
R·亚库什卡斯
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R·亚库什卡斯
;
V·斯里尼瓦斯
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V·斯里尼瓦斯
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R·W·C·金
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R·W·C·金
.
中国专利
:CN107180813B
,2017-09-19
[4]
金属-绝缘体-金属电容器结构
[P].
R·亚库什卡斯
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R·亚库什卡斯
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V·斯里尼瓦斯
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V·斯里尼瓦斯
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R·W·C·金
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R·W·C·金
.
中国专利
:CN105324862A
,2016-02-10
[5]
金属-绝缘体-金属电容器结构
[P].
黄致凡
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黄致凡
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高弘昭
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高弘昭
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萧远洋
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萧远洋
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萧琮介
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萧琮介
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沈香谷
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沈香谷
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陈蕙祺
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陈蕙祺
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陈殿豪
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陈殿豪
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陈燕铭
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陈燕铭
.
中国专利
:CN110783320A
,2020-02-11
[6]
金属-绝缘体-金属电容器及其形成方法
[P].
林杏莲
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台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
林杏莲
;
吴启明
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台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
吴启明
;
蔡嘉雄
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台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
蔡嘉雄
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喻中一
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台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
喻中一
;
朱瑞霖
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台湾积体电路制造股份有限公司
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朱瑞霖
.
中国专利
:CN112542544B
,2024-09-24
[7]
金属-绝缘体-金属电容器的制造方法
[P].
赵德鹏
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华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
赵德鹏
;
李佳龙
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华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
李佳龙
;
范晓
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华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
范晓
.
中国专利
:CN120583687A
,2025-09-02
[8]
金属-绝缘体-金属电容器及其形成方法
[P].
林杏莲
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林杏莲
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吴启明
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吴启明
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蔡嘉雄
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蔡嘉雄
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喻中一
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喻中一
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朱瑞霖
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朱瑞霖
.
中国专利
:CN112542544A
,2021-03-23
[9]
金属-绝缘体-金属电容器及其形成方法
[P].
赖柏嘉
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赖柏嘉
;
李俊彦
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李俊彦
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斯帝芬·鲁苏
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斯帝芬·鲁苏
.
中国专利
:CN114695661A
,2022-07-01
[10]
金属-绝缘体-金属电容器
[P].
林哲歆
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林哲歆
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王庆钧
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王庆钧
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李隆盛
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李隆盛
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中国专利
:CN1988078A
,2007-06-27
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