金属-绝缘体-金属电容器及其形成方法及其中形成介电层的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510078339.4

申请日：

2005-04-12

公开(公告)号：

CN1722379B

公开(公告)日：

2006-01-18

发明(设计)人：

崔在亨郑正喜金晟泰柳次英金基哲吴世勋崔正植

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L2131

IPC分类号：

H01L2102 H01L2182 H01L2900 H01L27108 H01L2702

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

陶凤波;侯宇

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-05-30	实质审查的生效	实质审查的生效
2011-11-23	授权	授权
2006-01-18	公开	公开

共 50 条

[1]

形成电容器及其介质层的方法及其形成的电容器 [P].

崔在亨 ;

郑正喜 ;

金晟泰 ;

柳次英 ;

金基哲 ;

吴世勋 ;

崔正植 .

中国专利 :CN102082079A ,2011-06-01

[2]

金属-绝缘体-金属电容器及其形成方法 [P].

林杏莲 ;

吴启明 ;

蔡嘉雄 ;

喻中一 ;

朱瑞霖 .

中国专利 :CN112542544B ,2024-09-24

[3]

金属-绝缘体-金属电容器及其形成方法 [P].

林杏莲 ;

吴启明 ;

蔡嘉雄 ;

喻中一 ;

朱瑞霖 .

中国专利 :CN112542544A ,2021-03-23

[4]

金属-绝缘体-金属电容器及其形成方法 [P].

赖柏嘉 ;

李俊彦 ;

斯帝芬·鲁苏 .

中国专利 :CN114695661A ,2022-07-01

[5]

金属-绝缘体-金属（MIM）电容器结构及其形成方法 [P].

梁虔硕 ;

戴志和 ;

黄敬泓 ;

何盈苍 ;

江柏融 .

中国专利 :CN104733431B ,2015-06-24

[6]

金属-绝缘体-金属电容器结构及形成方法 [P].

张志敏 ;

陈献龙 .

中国专利 :CN114038832B ,2022-02-11

[7]

金属-绝缘体-金属(MIM)电容器和形成方法 [P].

谢静佩 ;

徐晨祐 ;

刘世昌 .

中国专利 :CN105826166B ,2016-08-03

[8]

金属-绝缘体-金属电容器形成技术 [P].

M·J·科布林斯基 ;

R·L·布里斯托尔 ;

M·C·梅伯里 .

中国专利 :CN104885211A ,2015-09-02

[9]

图像传感器、金属-绝缘体-金属电容器及其形成方法 [P].

杰弗里·P·甘比诺 ;

查德拉塞卡兰·科桑达拉曼 ;

文森·詹姆斯·麦加赫 .

美国专利 :CN120897466A ,2025-11-04

[10]

集成芯片与金属-绝缘体-金属电容器及其形成方法 [P].

林杏莲 ;

吴启明 ;

金海光 ;

江法伸 .

中国专利 :CN112490220B ,2025-04-22

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