金属-绝缘体-金属器件及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010147423.1

申请日：

2020-03-05

公开(公告)号：

CN112331770B

公开(公告)日：

2025-04-11

发明(设计)人：

施启元张凯峯黄士芬廖彦杰

申请人：

台湾积体电路制造股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号

IPC主分类号：

H10D1/68

IPC分类号：

H01L23/26

代理机构：

南京正联知识产权代理有限公司 32243

代理人：

顾伯兴

法律状态：

专利权期限的补偿

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-06-03	专利权期限的补偿	专利权期限补偿IPC(主分类):H10D 1/68申请日:20200305授权公告日:20250411原专利权期满终止日:20400305现专利权期满终止日:20410411
2025-04-11	授权	授权

共 50 条

[1]

金属-绝缘体-金属器件及其形成方法 [P].

施启元 ;

张凯峯 ;

黄士芬 ;

廖彦杰 .

中国专利 :CN112331770A ,2021-02-05

[2]

金属-绝缘体-金属器件结构及其形成方法 [P].

林仁博 ;

魏孝宽 ;

吴曼筠 .

中国专利 :CN119866176A ,2025-04-22

[3]

金属-绝缘体-金属电容及其形成方法 [P].

赵子君 ;

胡明宇 ;

张杨 ;

李亮 .

中国专利 :CN118943128B ,2025-01-28

[4]

金属-绝缘体-金属电容及其形成方法 [P].

黄冲 ;

李志国 ;

董碧云 .

中国专利 :CN105514092A ,2016-04-20

[5]

金属-绝缘体-金属电容及其形成方法 [P].

赵子君 ;

胡明宇 ;

张杨 ;

李亮 .

中国专利 :CN118943128A ,2024-11-12

[6]

金属-绝缘体-金属装置结构及其形成方法 [P].

姜政熠 ;

詹永平 ;

许仲豪 .

中国专利 :CN120812956A ,2025-10-17

[7]

集成芯片、金属-绝缘体-金属装置及其形成方法 [P].

高敏峰 ;

杨敦年 ;

刘人诚 ;

林杏芝 ;

林冠华 .

中国专利 :CN114765246A ,2022-07-19

[8]

金属-绝缘体-金属电容器及其形成方法 [P].

林杏莲 ;

吴启明 ;

蔡嘉雄 ;

喻中一 ;

朱瑞霖 .

中国专利 :CN112542544B ,2024-09-24

[9]

金属-绝缘体-金属电容器及其形成方法 [P].

林杏莲 ;

吴启明 ;

蔡嘉雄 ;

喻中一 ;

朱瑞霖 .

中国专利 :CN112542544A ,2021-03-23

[10]

金属-绝缘体-金属电容器及其形成方法 [P].

赖柏嘉 ;

李俊彦 ;

斯帝芬·鲁苏 .

中国专利 :CN114695661A ,2022-07-01

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