金属-绝缘体-金属器件结构及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410942971.1

申请日：

2024-07-15

公开(公告)号：

CN119866176A

公开(公告)日：

2025-04-22

发明(设计)人：

林仁博魏孝宽吴曼筠

申请人：

台湾积体电路制造股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹市

IPC主分类号：

H10N97/00

IPC分类号：

代理机构：

北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258

代理人：

桑敏

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-05-09	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10N 97/00申请日:20240715
2025-04-22	公开	公开

共 50 条

[1]

金属-绝缘体-金属器件及其形成方法 [P].

施启元 ;

张凯峯 ;

黄士芬 ;

廖彦杰 .

中国专利 :CN112331770A ,2021-02-05

[2]

金属-绝缘体-金属器件及其形成方法 [P].

施启元 ;

张凯峯 ;

黄士芬 ;

廖彦杰 .

中国专利 :CN112331770B ,2025-04-11

[3]

金属-绝缘体-金属电容器及其形成方法 [P].

赖柏嘉 ;

李俊彦 ;

斯帝芬·鲁苏 .

中国专利 :CN114695661A ,2022-07-01

[4]

金属-绝缘体-金属电容及其形成方法 [P].

黄冲 ;

李志国 ;

董碧云 .

中国专利 :CN105514092A ,2016-04-20

[5]

金属-绝缘体-金属(MIM)电容器和形成方法 [P].

谢静佩 ;

徐晨祐 ;

刘世昌 .

中国专利 :CN105826166B ,2016-08-03

[6]

金属-绝缘体-金属电容器及其形成方法 [P].

林杏莲 ;

吴启明 ;

蔡嘉雄 ;

喻中一 ;

朱瑞霖 .

中国专利 :CN112542544B ,2024-09-24

[7]

金属-绝缘体-金属电容器及其形成方法 [P].

林杏莲 ;

吴启明 ;

蔡嘉雄 ;

喻中一 ;

朱瑞霖 .

中国专利 :CN112542544A ,2021-03-23

[8]

金属-绝缘体-金属装置结构及其形成方法 [P].

姜政熠 ;

詹永平 ;

许仲豪 .

中国专利 :CN120812956A ,2025-10-17

[9]

金属-绝缘体-金属（MIM）电容器结构及其形成方法 [P].

梁虔硕 ;

戴志和 ;

黄敬泓 ;

何盈苍 ;

江柏融 .

中国专利 :CN104733431B ,2015-06-24

[10]

金属-绝缘体-金属电容及其形成方法 [P].

赵子君 ;

胡明宇 ;

张杨 ;

李亮 .

中国专利 :CN118943128B ,2025-01-28

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