金属-绝缘体-半导体器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610099720.3

申请日：

1994-01-18

公开(公告)号：

CN100570835C

公开(公告)日：

2007-02-21

发明(设计)人：

山崎舜平竹村保彦

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县厚木市

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

张志醒

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-12-16	授权	授权
2007-04-18	实质审查的生效	实质审查的生效
2007-02-21	公开	公开
2013-03-27	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101416718450 IPC(主分类):H01L 21/336 专利号:ZL2006100997203 申请日:19940118 授权公告日:20091216 终止日期:20120118

共 50 条

[1]

金属绝缘体半导体类型的半导体器件及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

竹村保彦 .

中国专利 :CN1156016C ,1999-06-16

[2]

金属-绝缘体-半导体-绝缘体-金属装置 [P].

胡振国 ;

杨昶丰 ;

林浩雄 ;

潘正圣 .

中国专利 :CN109585652A ,2019-04-05

[3]

半导体器件、金属-绝缘体-金属电容及其制造方法 [P].

周谨 .

中国专利 :CN101533767A ,2009-09-16

[4]

金属-绝缘体-金属半导体器件的下电极的制备方法 [P].

赵波 ;

刘玮荪 .

中国专利 :CN102157356B ,2011-08-17

[5]

稳定绝缘体基半导体器件的方法及绝缘体基半导体器件 [P].

新美宪一 ;

A·O·阿丹 .

中国专利 :CN1154191C ,2000-12-06

[6]

绝缘体上半导体器件及其制造方法 [P].

胡金节 .

中国专利 :CN111146278B ,2020-05-12

[7]

在绝缘体半导体器件上的半导体及其制造方法 [P].

R·叙尔迪努 ;

G·多恩波斯 ;

Y·波诺马雷夫 ;

J·罗 .

中国专利 :CN1969391A ,2007-05-23

[8]

包括金属－绝缘体－金属电容器排列的半导体器件 [P].

富留宫正之 ;

菊田邦子 ;

山本良太 ;

中山诚 .

中国专利 :CN100420010C ,2006-05-31

[9]

金属-绝缘体-金属装置、半导体装置及其制造方法 [P].

陈永祥 ;

叶玉隆 ;

陈彦秀 ;

庄字周 ;

黄敬泓 ;

陈威良 .

中国专利 :CN115513371A ,2022-12-23

[10]

具有金属－绝缘体－金属电容的半导体器件 [P].

西村武史 ;

岩田直高 .

中国专利 :CN1208964A ,1999-02-24

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