金属-绝缘体-半导体-绝缘体-金属装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811147906.0

申请日：

2018-09-29

公开(公告)号：

CN109585652A

公开(公告)日：

2019-04-05

发明(设计)人：

胡振国杨昶丰林浩雄潘正圣

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市

IPC主分类号：

H01L4700

IPC分类号：

代理机构：

隆天知识产权代理有限公司 72003

代理人：

黄艳

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-04-05	公开	公开
2021-03-19	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 47/00 申请公布日:20190405

共 50 条

[1]

金属-绝缘体-半导体隧穿接触 [P].

N·慕克吉 ;

G·杜威 ;

M·V·梅茨 ;

J·卡瓦列罗斯 ;

R·S·周 .

中国专利 :CN102239546A ,2011-11-09

[2]

场增强金属绝缘体－半导体/金属绝缘体－金属电子发射器 [P].

X·圣 ;

H·比雷基 ;

S·T·林 ;

H·P·郭 ;

S·L·纳伯惠斯 .

中国专利 :CN1412804A ,2003-04-23

[3]

金属-绝缘体-半导体器件的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

竹村保彦 .

中国专利 :CN100570835C ,2007-02-21

[4]

金属-绝缘体-金属装置、半导体装置及其制造方法 [P].

陈永祥 ;

叶玉隆 ;

陈彦秀 ;

庄字周 ;

黄敬泓 ;

陈威良 .

中国专利 :CN115513371A ,2022-12-23

[5]

金属绝缘体金属或金属绝缘体半导体电子源的结构和制造方法 [P].

伊马贵弘 .

中国专利 :CN1217559A ,1999-05-26

[6]

金属/绝缘体/金属电容结构的半导体装置 [P].

涂国基 ;

陈椿瑶 ;

伍寿国 ;

王铨中 .

中国专利 :CN2796102Y ,2006-07-12

[7]

金属-绝缘体-金属电容结构 [P].

侯泰成 ;

林大钧 ;

蔡滨祥 ;

蔡馥郁 ;

萧雅茵 ;

苏柏青 ;

李一凡 ;

侯冠志 ;

王裕夫 ;

陈俤彬 ;

吴志强 ;

王尧展 .

中国专利 :CN120184154A ,2025-06-20

[8]

金属-绝缘体-金属电容器 [P].

黃吉河 ;

谈文毅 .

中国专利 :CN113611799B ,2021-11-05

[9]

金属-绝缘体-金属装置及其制造方法 [P].

彭良轩 ;

吕志弘 .

中国专利 :CN119092496A ,2024-12-06

[10]

稳定绝缘体基半导体器件的方法及绝缘体基半导体器件 [P].

新美宪一 ;

A·O·阿丹 .

中国专利 :CN1154191C ,2000-12-06

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