金属/绝缘体/金属电容结构的半导体装置

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN200420117929.4

申请日：

2004-10-20

公开(公告)号：

CN2796102Y

公开(公告)日：

2006-07-12

发明(设计)人：

涂国基陈椿瑶伍寿国王铨中

申请人：

申请人地址：

台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路8号

IPC主分类号：

H01L27108

IPC分类号：

H01L2701 H01L2702 H01L2700

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司

代理人：

穆魁良

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-12-03	专利权的终止	专利权有效期届满号牌文件类型代码:1611 号牌文件序号:101590532363 IPC(主分类):H01L 27/108 专利号:ZL2004201179294 申请日:20041020 授权公告日:20060712 期满终止日期:20141020
2006-07-12	授权	授权

共 50 条

[1]

金属-绝缘体-半导体-绝缘体-金属装置 [P].

胡振国 ;

杨昶丰 ;

林浩雄 ;

潘正圣 .

中国专利 :CN109585652A ,2019-04-05

[2]

金属-绝缘体-金属电容结构 [P].

侯泰成 ;

林大钧 ;

蔡滨祥 ;

蔡馥郁 ;

萧雅茵 ;

苏柏青 ;

李一凡 ;

侯冠志 ;

王裕夫 ;

陈俤彬 ;

吴志强 ;

王尧展 .

中国专利 :CN120184154A ,2025-06-20

[3]

具有金属－绝缘体－金属电容的半导体器件 [P].

西村武史 ;

岩田直高 .

中国专利 :CN1208964A ,1999-02-24

[4]

半导体器件、金属-绝缘体-金属电容及其制造方法 [P].

周谨 .

中国专利 :CN101533767A ,2009-09-16

[5]

金属-绝缘体-金属装置、半导体装置及其制造方法 [P].

陈永祥 ;

叶玉隆 ;

陈彦秀 ;

庄字周 ;

黄敬泓 ;

陈威良 .

中国专利 :CN115513371A ,2022-12-23

[6]

金属绝缘体金属或金属绝缘体半导体电子源的结构和制造方法 [P].

伊马贵弘 .

中国专利 :CN1217559A ,1999-05-26

[7]

嵌入式金属-绝缘体-金属电容器 [P].

R·赛德尔 ;

T·休伊辛加 .

中国专利 :CN105489590B ,2016-04-13

[8]

具有金属-绝缘体-金属电容器的集成半导体产品 [P].

K·科勒 ;

H·克尔纳 ;

M·施伦克 .

中国专利 :CN100576441C ,2005-04-06

[9]

金属-绝缘体-金属电容器结构 [P].

黄致凡 ;

高弘昭 ;

萧远洋 ;

萧琮介 ;

沈香谷 ;

陈蕙祺 ;

陈殿豪 ;

陈燕铭 .

中国专利 :CN110783320A ,2020-02-11

[10]

包括金属－绝缘体－金属电容器排列的半导体器件 [P].

富留宫正之 ;

菊田邦子 ;

山本良太 ;

中山诚 .

中国专利 :CN100420010C ,2006-05-31

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