金属绝缘体金属或金属绝缘体半导体电子源的结构和制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN98122473.3

申请日：

1998-11-10

公开(公告)号：

CN1217559A

公开(公告)日：

1999-05-26

发明(设计)人：

伊马贵弘

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01J130

IPC分类号：

H01J902

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

陈景峻;李亚非

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
1999-05-26	公开	公开
1999-04-28	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
2007-01-10	专利权的终止未缴年费专利权终止	专利权的终止未缴年费专利权终止
2003-05-21	专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移	专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移变更事项:申请人变更前权利人:日本电气株式会社变更后权利人:恩益禧电子股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:日本东京都变更后权利人:日本神奈川县川崎市登记生效日:20030328
2003-10-29	授权	授权

共 50 条

[1]

金属-绝缘体-半导体-绝缘体-金属装置 [P].

胡振国 ;

杨昶丰 ;

林浩雄 ;

潘正圣 .

中国专利 :CN109585652A ,2019-04-05

[2]

场增强金属绝缘体－半导体/金属绝缘体－金属电子发射器 [P].

X·圣 ;

H·比雷基 ;

S·T·林 ;

H·P·郭 ;

S·L·纳伯惠斯 .

中国专利 :CN1412804A ,2003-04-23

[3]

金属-绝缘体-金属电容结构 [P].

侯泰成 ;

林大钧 ;

蔡滨祥 ;

蔡馥郁 ;

萧雅茵 ;

苏柏青 ;

李一凡 ;

侯冠志 ;

王裕夫 ;

陈俤彬 ;

吴志强 ;

王尧展 .

中国专利 :CN120184154A ,2025-06-20

[4]

金属-绝缘体-金属装置、半导体装置及其制造方法 [P].

陈永祥 ;

叶玉隆 ;

陈彦秀 ;

庄字周 ;

黄敬泓 ;

陈威良 .

中国专利 :CN115513371A ,2022-12-23

[5]

金属-绝缘体-半导体器件的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

竹村保彦 .

中国专利 :CN100570835C ,2007-02-21

[6]

金属/绝缘体/金属电容结构的半导体装置 [P].

涂国基 ;

陈椿瑶 ;

伍寿国 ;

王铨中 .

中国专利 :CN2796102Y ,2006-07-12

[7]

金属-绝缘体-金属电容结构及其制造方法 [P].

张步新 ;

王媛 .

中国专利 :CN101789429B ,2010-07-28

[8]

金属-绝缘体-金属电容结构的制造方法 [P].

沈香谷 ;

高铭鸿 ;

陈蕙祺 ;

陈殿豪 ;

陈燕铭 .

中国专利 :CN110970559A ,2020-04-07

[9]

半导体器件、金属-绝缘体-金属电容及其制造方法 [P].

周谨 .

中国专利 :CN101533767A ,2009-09-16

[10]

金属绝缘体金属元件的制造方法 [P].

戴炘 ;

张柏成 ;

黄慧秦 ;

窦培庭 ;

吕明政 .

中国专利 :CN108538814A ,2018-09-14

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